SEM像散

1、SEM與TEM的區別

SEM，全稱為掃描電子顯微鏡，又稱掃描電鏡，英文名Scanning Electronic Microscopy. TEM，全稱為透射電子顯微鏡，又稱透射電鏡，英文名Transmission Electron Microscope.

區別：

SEM的樣品中被激發出來的二次電子和背散射電子被收集而成像. TEM可以表徵樣品的質厚襯度，也可以表徵樣品的內部晶格結構。TEM的解析度比SEM要高一些。

SEM樣品要求不算嚴苛，而TEM樣品觀察的部分必須減薄到100nm厚度以下，一般做成直徑3mm的片，然後去做離子減薄，或雙噴（或者有厚度為20~40μm或者更少的薄區要求）。

TEM可以標定晶格常數，從而確定物相結構；SEM主要可以標定某一處的元素含量，但無法准確測定結構。

2、如何獲得清晰的掃描電鏡（SEM）圖像

1、制樣：成功制備出所要觀察的位置，樣品如果不導電，可能需要鍍金
2、環境：電鏡處在無振動干擾和無磁場干擾的環境下
3、設備：電鏡電子槍仍在合理的使用時間內
4、拍攝：找到拍攝位置，選擇合適距離，選擇合適探頭→對中→調像散→聚焦，反復操作至最清晰

3、你好，能幫忙解釋一下像散，球差，慧差的概念網上說的還是不太明白。

如上，像散，發光點p，不在光軸之上，經過透鏡，光束focus，如圖c處就是聚不到一個點上，這樣它原本是p點傳播過後不是一個點了，成像不清晰，即為像散。

如上，慧差。主軸外的物點，發出光束，經光學系統，理想平面處不能結成清晰點，而是結成拖著明亮尾巴的彗星形光斑，好比上圖abcde平面處的點圖，很像彗星呵呵。即慧差。

如上，球差，同樣是發光點，經過透鏡（最簡單的光學系統）成像後依舊不是一個點，不過與慧差和像散不同，在透鏡一個漫射圓斑，即球差。

三者的區分，最主要是看像平面上面的點圖，並且三者的成因也與物體是否在光軸有關，這個具體外文教材《Introction to lens design ......》里有講

4、怎麼看ZEMAX 中象散

菜單欄：Analysis>Miscellaneous>Field Curv/Distortion
或直接點擊工具欄的Fcd按鈕

5、像散現象是屬於什麼現象

我們平時所看到的霧其實呢不是氣體，而是液體，它是晚上空氣中的水蒸氣遇冷凝華成液態的水，然後早晨呢，太陽出來，液態的水吸熱後，就又蒸發成氣態的水蒸氣，所以，太陽出來後，霧就不見了。

6、象散的消像散解決方法

為解決問題，有些鏡頭會乾脆將覆蓋率加大，如用於APS-C的鏡頭，可能本來能蓋過全幅，但為保持畫質而犧牲了邊緣畫面。所以，APS-C的鏡頭多不建議用在全幅機上。就算可以，也會有嚴重的四角失光或邊緣像散。另一種像散則是由於鏡頭的質量問題，如曲面不均勻，這就有如人眼的散光問題；或鏡片組沒有對准中軸。不過這都是舊時代的生產技術問題，現在已不多見。
當光學系統存在較大的像散時，像面一般也很彎曲，只有當子午和弧矢像面處於高斯像面二側時，可勉強認為是平像面光學系統。但因像系由彌散圓形成，是模糊不清的。
當光學系統的像散校正得很好並且用細光束成像時，物平面上各點都有一個清晰的像點，但它們往往仍處於一個彎曲的像面上，在用平面來接收時仍不能同時清晰。通常把消像散時的清晰像面稱為珀茲伐曲面，其彎曲程度稱為珀茲伐彎曲。
所以，只有同時校正好像散和珀茲伐彎曲，才能使大的物平面用細光束成像時有一個平的清晰像面。若同時校正好寬光束的球差和彗差，則可獲得大孔徑大視場時的清晰像平面。
一般而論，透鏡的像散隨孔徑光闌位置而異，並隨透鏡形狀的不同而異,但當孔徑光闌與薄透鏡重合時,只要焦距不變，像散即為常值，與形狀無關。消像散系統一般由正、負透鏡適當組合而成。珀茲伐彎曲也只有用正、負光焦度分離的方法才能校正。
消除方法: 通過復雜的透鏡組合來消除。
消像散器(anastigmator): 在電子顯微鏡中，用於校正軸向像散的電子光學部件。

7、請教金相圖與SEM圖的區別~

金相觀察是依賴可見光的反射,其原理是被腐蝕的晶界處發生漫反射,在照片上是暗的;未被腐蝕的晶粒內部發生的是鏡面反射,在照片上是亮的.SEM分二次電子像和背散射電子像:二次電子像必須腐蝕樣品,不腐蝕的話什麼都看不到.照完金相的樣品可以直接照二次電子,但照片的情況有所不同,<1000倍時,二次電子像觀察到的晶界是亮的,因為晶界被腐蝕掉,樣品在晶界出現稜角,二次電子的產額大,因此是量的,晶界內部反而暗.如果倍數放到足夠大,能夠看清晶界處的腐蝕程度和凹凸情況;背散射電子像是分析樣品的成分分布,最好不要腐蝕樣品,因為腐蝕樣品會把第二相腐蝕掉.

8、SEM和TEM區別

SEM，全稱為掃描電子顯微鏡，又稱掃描電鏡，英文名Scanning
Electronic
Microscopy.
TEM，全稱為透射電子顯微鏡，又稱透射電鏡，英文名Transmission
Electron
Microscope.
區別：
1.
SEM的樣品中被激發出來的二次電子和背散射電子被收集而成像.
TEM可以表徵樣品的質厚襯度，也可以表徵樣品的內部晶格結構。TEM的解析度比SEM要高一些。
2.
SEM樣品要求不算嚴苛，而TEM樣品觀察的部分必須減薄到100nm厚度以下，一般做成直徑3mm的片，然後去做離子減薄，或雙噴（或者有厚度為20~40μm或者更少的薄區要求）。
3.
TEM可以標定晶格常數，從而確定物相結構；SEM主要可以標定某一處的元素含量，但無法准確測定結構。