1、掃描電鏡sem的主要原理是什麼？測試過程需要重點注意哪些操作
?
2、簡述xrd sem等測試方法可以表徵材料的哪些特徵
xrd是利用x射線衍射表徵晶體材料物相，或對其求結晶度、半定量的常用方法。
sem是利用二次電子背散射像來表徵材料微觀下的形貌。
3、掃描電鏡SEM/EDX測試的井深是多少？
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應該是景深吧``
焦深計算公式
L= ±[(r/M)-d]/2α 其中：
L: 焦深
r: 顯像管最小分辨距離
M：放大倍數
d：入射電子束直徑
2α：物鏡孔徑角。
從上面的式子可以看出影響焦深的因素，其中隱含了工作距離w。物鏡孔徑角與工作距離和入射電子束直徑有關。由於r（顯像管的解析度）和2α都是未知數，實際上不能計算。焦深也只是個人的視覺感受，還是直觀的測量一下為好。
又查了資料``顯像管最小分辨距離為0.22mm-0.3mm, 孔徑角的典型數值為10-2—10-3rad.利用公式L= ±[(r/M)-d]/2α可以計算出在有效放大倍率下的焦深數據。設d=3納米，孔徑角2α=10-2 rad，r=0.3mm。計算焦深如下：
1000倍下為59.4微米。5000倍下為11.4微米。10000倍下為5.4微米。超過100000倍已經超過了有效放大倍率。不能計算。
4、跪求PCB行業中SEM+EDS測試方法，非常感謝！！
PCB失效原因越來越多，在以前看起來難以發現的問題，現在可以用掃描電子顯微鏡與能譜(SEM&EDS)分析出來。本文介紹了在PCB生產過程中利用SEM&EDS發現的三個較為經典的案例，介紹了該技術在實際解決問題過程中的關鍵作用
：（SEM-EDS）在PCB失效分析中的應用
5、XRD、IR、SEM、EDS及紫外可見吸收的測試原理及具體分析步驟（材料測試技術裡面的）
SEM：材料的表面形貌，形貌特徵。配合EDX可以獲得材料的元素組成信息
TEM：材料的表面形貌，結晶性。配合EDX可以獲得材料的元素組成
FTIR：主要用於測試高分子有機材料，確定不同高分子鍵的存在，確定材料的結構。如單鍵，雙鍵等等
Raman：通過測定轉動能及和振動能及，用來測定材料的結構。
CV：CV曲線可以測試得到很多信息，比如所需電沉積電壓，電流，以及半導體行業可以得到直流偏壓
EIS：EIS就是電化學交流阻抗譜測試可以得到電極電位，阻抗信息，從而模擬出系統內在串聯電阻，並聯電阻和電容相關信息
BET：主要是測試材料比表面積的，可以得到材料的比表面積信息。
XRD：主要是測試材料的物性，晶型的。高級的XRD還可以測試材料不同晶型的組分。
質譜：主要用於鑒定材料的化學成分，包括液相質譜，氣象質譜
6、SEM測試時間大概要多久
一般是2-3個月的時間進行測試
如果有前期的相關數據更好，沒有相關的數據或者是新項目肯定要進行一段時間的競價測試，測試的主要內容一般就是投放的時間段，用戶搜索的高峰期以及關鍵詞和創意還有著陸頁面的AB測試。
時間太短相關的數據不穩定，所以建議2-3個月為最佳，這是平均的測試時間，具體的可能行業不同有差異