1、請牛人團的大大們幫忙翻譯一下啊~跪求~
已解決。
2、SEM分析時,沒有出現S元素,而在XRD中出現CaSO4，為啥？ 請幫助說明原因，謝謝
S
3、人工翻譯英文
Moreover, fromFig. 1(c), it can be
此外，fromfig。1（C），它可以
found that some of the TiN powders were agglomerated from
發現某些錫粉末的團聚
fine TiN particulates (Fig. 1(c)). 50 wt.% Al2319 and 50 wt.% TiN
精細TiN顆粒（圖1（c））。50重量%和50重量%的錫al2319
(corresponding to 32.7 vol.%TiN) powders were mechanically
（對應32.7體積%的錫）的粉末進行機械
blended as feedstocks. For comparison, pure Al2319 coating
混合原料。相比之下，純al2319塗層
was also deposited. Al plateswere used as substrates andwere
也沉積。鋁plateswere用作襯底的
sand-blasted prior to spraying.
噴砂噴塗之前。
The coating cross-sectional structure was observed with
觀察了塗層的橫截面結構
optic microscopy (OM) and scanning electron microscopy
光學顯微鏡（OM）、掃描電子顯微鏡
(SEM). The polished cross-sectionswere etched by a solution of
（SEM）。光交叉sectionswere通過溶液蝕刻
100 ml H2O+3mlHF+6mlHNO3. Estimation of coating porositywas
100毫升H2O + 3mlhf + 6mlhno3。塗層porositywas估計
performed through metallurgical image analyses using
通過金相圖像進行分析使用
at least 10 cross-sectional micrographs. Vickers hardness
至少10的橫截面的顯微照片。維氏硬度
measurement was performed on the polished cross-sections
在拋光橫截面進行測量
using a LEITZ microhardness tester with a load of 200 g and a
用Leitz顯微硬度計與200克的負載和
dwell time of 15 s. More than 15 values from random locations
15秒的停留時間。15多值隨機位置
on the polished cross-section were averaged for calculating
在光滑的截面進行平均計算
the mean hardness. The coating/substrate adhesive strength
平均硬度。塗層/基體的粘結強度
was measured using pull-off test (ASTM C-633-79). The commercially
利用拉拔試驗測定（ASTM c-633-79）。商業
available adhesive film (FM 1000), having a nominal
可用的膠膜（調頻1000），有一個名義上的
tensile strength up to 60MPa, was used. The assembled test
抗拉強度達到60MPa，使用。組裝測試
pieceswere tested with a speed of 0.78mm/min using Estotest
pieceswere速度與0.78mm/min使用estotest測試
50 tensile tester. For each coating, five test specimens were
50拉伸試驗機。各塗層的試樣，五
used. The fractured surfacewas obtained through bending the
用。發現通過彎曲斷裂
substrate to peel the coating.
襯底剝離塗層。
有些詞語翻譯過來怎麼還是他本身啊
我是一句一句翻譯的
4、圖形化襯底的藍寶石和普通的藍寶石長的樣品怎麼區分呢?搞混了
GAN與藍寶石晶體結構不一樣，有約13%的不匹配，在藍寶石上面生長GAN會使得GAN有缺陷，而圖形襯底就是為了降低這種缺陷。
5、pld制備過程中襯底表面的實際溫度怎麼測量
pld常溫制備的tio2膜有什麼是導電的
採用脈沖激光沉積法（PLD），以Pt(111)/Ti/SiO2/Si為襯底，制備了具有回電阻轉變答特性的TiO2薄膜.X射線衍射（XRD）分析未發現明顯的TiO2結晶峰，薄膜呈納米晶或非晶態.掃描電子顯微鏡（SEM）及原子力顯微鏡（AFM）分析表明，TiO2薄膜表面平整、光滑緻密.電學測試結果表明，TiO2薄膜具有明顯的單極性電阻轉變特性，高低阻態比值達到104.高阻態下薄膜的導電過程可用空間電荷限制電流模型解釋，過程中存在軟擊穿現象.在此基礎上，對薄膜中絲導電通道的產生及熔斷過程進行了初步分析.
6、SEM與TEM帶的EDAX的解析度是多少
1.做TEM測試時樣品的厚度最厚是多少 ?
TEM的樣品厚度最好小於100nm，太厚了電子束不易透過，分析效果不好。
2.請問樣品的的穿晶斷裂和沿晶斷裂在SEM圖片上有各有什麼明顯的特徵？
在SEM圖片中，沿晶斷裂可以清楚地看到裂紋是沿著晶界展開，且晶粒晶界明顯；穿晶斷裂則是裂紋在晶粒中展開，晶粒晶界都較模糊。
3.做TEM測試時樣品有什麼要求？
很簡單，只要不含水分就行。如果樣品為溶液，則樣品需要滴在一定的基板上（如玻璃），然後乾燥，再噴碳就可以了。如果樣品本身導電就無需噴碳。
4.水溶液中的納米粒子如何做TEM？
透射電鏡樣品必須在高真空中下檢測，水溶液中的納米粒子不能直接測。一般用一個微柵或銅網，把樣品撈起來，然後放在樣品預抽器中，烘乾即可放入電鏡裡面測試。如果樣品的尺寸很小，只有幾個納米，選用無孔的碳膜來撈樣品即可。
5.粉末狀樣品怎麼做TEM？
掃描電鏡測試中粉末樣品的制備多採用雙面膠干法制樣，和選用合適的溶液超聲波濕法制樣。分散劑在掃描電鏡的樣品制備中效果並不明顯，有時會帶來相反的作用，如乾燥時析晶等。
6.EDS與XPS測試時采樣深度的差別？
XPS采樣深度為2-5nm，我想知道EDS采樣深度大約1um.
7.能譜，有的叫EDS，也有的叫EDX，到底哪個更合適一些？
能譜的全稱是：Energy-dispersiveX-ray spectroscopy
國際標准化術語:
EDS-能譜儀
EDX-能譜學
8.TEM用銅網的孔洞尺寸多大？
撈粉體常用的有碳支持膜和小孔微柵，小孔微柵上其實也有一層超薄的碳膜。拍高分辨的，試樣的厚度最好要控制在 20 nm以下，所以一般直徑小於20nm的粉體才直接撈，顆粒再大的話最好是包埋後離子減薄。
9.在透射電鏡上觀察到納米晶,在納米晶的周圍有非晶態的區域,我想對非晶態的區域升溫或者給予一定的電壓(電流),使其發生變化, 原位觀察起變化情況？
用原子力顯微鏡應該可以解決這個問題。
10.Mg-Al合金怎麼做SEM，二次電子的？
這種樣品的正確測法應該是先拋光，再腐蝕。若有蒸發現象，可以在樣品表面渡上一層金。
11.陶瓷的TEM試樣要怎麼製作？
切片、打磨、離子減薄、FIB(強烈推薦）
12.透射電子顯微鏡在高分子材料研究中的應用方面的資料？
殷敬華 莫志深 主編 《現代高分子物理學》（下冊） 北京：科學出版社，2001[第十八章 電子顯微鏡在聚合物結構研究中的應用]
13.透射電鏡中的微衍射和選區衍射有何區別？
區別就是電子束斑的大小。選區衍射束斑大約有50微米以上，束斑是微米級就是微衍射。微衍射主要用於鑒定一些小的相
14.SEM如何看氧化層的厚度？通過掃描電鏡看試樣氧化層的厚度，直接掰開看斷面，這樣准確嗎？
通過掃描電鏡看試樣氧化層的厚度，如果是玻璃或陶瓷這樣直接掰開看斷面是可以的；如果是金屬材料可能在切割時，樣品結構發生變化就不行了，所以要看是什麼材料的氧化層。
15.TEM對微晶玻璃的制樣要求
先磨薄片厚度小於500um,再到中心透射電鏡制樣室進行釘薄，然後離子減薄。
16.電子能量損失譜由哪幾部分組成？
EELS和HREELS是不同的系統。前者一般配合高分辨透射電鏡使用，而且最好是場發射槍和能量過濾器。一般解析度能達到0.1eV－1eV，主要用於得到元素的含量，尤其是輕元素的含量。而且能夠輕易得到相應樣品區域的厚度。而HREELS是一種高真空的單獨設備，可以研究氣體分子在固體表面的吸附和解離狀態。
17.研究表面活性劑形成的囊泡，很多文獻都用cryoTEM做，形態的確很清晰，但所里只能作負染，能很好的看出囊泡的壁嗎？
高分子樣品在電子束下結構容易破壞，用冷凍台是最好的方式。做負染是可以看到壁的輪廓，但是如果要細致觀察，沒有冷凍台大概不行吧？我看過的高分子樣品都是看看輪廓就已經很滿意了，從來沒有提到過更高要求的。
18.hkl、hkl指的是什麼？
（hkl）表示晶面指數 {hkl} 表示晶面族指數
[hkl] 表示晶向指數 表示晶向族指數
(h,k,-h-k,l)六方晶系的坐標表示法林海無邊
19.電鏡測試中調高放大倍數後，光斑亮度及大小會怎樣變化？
變暗，因為物鏡強了，焦距小了，所以一部分電流被遮擋住了，而亮度是和電流成正比的。由於總光束的強度是一定的，取放大倍率偏大則通過透鏡的電子束少，反則電子束大。調節brightness就是把有限的光聚在一起，
20.氧化鋁TEM選取什麼模式？
氧化鋁最好用lowdose模式，這樣才會盡量不破壞晶體結構，
21.ZSM-5的TEM如何制樣？
在瑪瑙研缽中加上酒精研磨，在超聲波中分散，滴到微柵上就可以了。輻照的敏感程度與SiAl比有關，SiAl比越大越穩定。
22.對於衍射強度比較弱,壽命比較短的高分子樣品，曝光時間是長一些還是短一些?
因為衍射比較弱，雖然長時間曝光是增加襯度的一種方法，但是透射斑的加強幅度更大，反而容易遮掩了本來就弱的多得點，而且樣品容易損壞，還是短時間比較合適。我曾經拍介孔分子篩的衍射，比較弱，放6-8s，效果比長時間的好。
23.請教EDXS的縱坐標怎麼書寫？
做了EDXS譜，發現各種刊物上的圖譜中，縱坐標不一致。可能是因為絕對強度值並不太重要，所以x射線能譜圖縱坐標的標注並沒有一個統一的標准。除了有I/CPS、CPS、Counts等書寫方法外，還有不標的，還有標成Intensity或Relative Intensity的，等等。具體標成什麼形式，要看你所投雜志的要求。一般標成CPS的比較多，它表示counts per second，即能譜儀計數器的每秒計數。
24.EDAX和ED 相同嗎？
EDAX有兩個意思，一指X射線能量色散分析法，也稱EDS法或EDX法，少用ED表示；二是指最早生產波譜儀的公司---美國EDAX公司。當然生產能譜儀的不只EDAX公司，還有英國的Oxford等。
EDAX指的是掃描電子顯微鏡(SEM)或透射電子顯微鏡（TEM）上用的一種附屬分析設備---能譜儀，或指的是最早生產能譜儀的公司---美國伊達克斯有限公司，或這種分析技術。當我們在電鏡上觀察電子顯微圖像的同時，可以用這種附屬設備分析顯微圖像上的一個點，或一個線或一個面上各個點所發射的X射線的能量和強度，以確定顯微圖像上我們感興趣的哪些點的元素信息（種類和含量）。
25.二次衍射
由於電子在物質內發生多次散射，在一次散射不應當出現的的地方常常出現發射，這種現象稱為二次衍射。在確定晶體對稱性引起的小光反射指數的規律性時，必須注意這種二次衍射現象。二次衍射點是一次衍射的衍射波再次發生衍射的結果。二次衍射點可以出現在運動學近似的兩個衍射點的倒易矢量之和所在的位置。特別是，在通過原點的軸上二次衍射點出現的可能性很大。另外也要充分注意 其強度也變強。
26.什麼是超晶格？
1970年美國IBM實驗室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念．他們設想如果用兩種晶格匹配很好的半導體材料交替地生長周期性結構，每層材料的厚度在100nm以下，如圖所示，則電子沿生長方向的運動將會產生振盪，可用於製造微波器件．他們的這個設想兩年以後在一種分子束外延設備上得以實現．可見，超晶格材料是兩種不同組元以幾個納米到幾十個納米的薄層交替生長並保持嚴格周期性的多層膜，事實上就是特定形式的層狀精細復合材料。
27.明場像的晶格中白點是金屬原子嗎？
由於受電子束相乾性、透鏡的各種像差、離焦量以及樣品厚度等因素的影響得到的高分辨像一般不能直接解釋，必須進行圖像模擬，所以圖中白點是不是金屬原子不好說，要算一下才知道。
28.碳管如何分散做TEM?
看碳管最好用微柵，由於碳膜與碳管反差太弱，用碳膜觀察會很吃力。尤其是單壁管。另外注意不要將碳膜伸進去撈，（這樣會兩面沾上樣品，聚不好焦）樣品可以滴、塗、抹、沾在有碳膜的面上，表面張力過大容易使碳膜撐破。
29.不同極靴的解析度
極靴分為：超高分辨極靴、高分辨極靴、高傾斜極靴。超高分辨極靴點解析度在0.19nm，高分辨極靴點分辨在0.24nm，但是實際情況是達不到的。場發射與LaB6的解析度是一樣的，就是速流更加穩定，亮度高是LaB6亮度的100倍。
30.如果機器放電了——電子槍內充足氟里昂到規定指標。
在電壓正常，燈絲電流也正常的情況下，把所有的光闌都撤出，但是還是看不到光線——電子槍閥未打開。
撤出所有光闌，有光束，但是有一半被遮擋住，不知是什麼原因——shut 閥擋著部分光線。
31.標尺大小怎麼寫？
標尺只能用1、2、5這幾個數比如1、2、5、10、20、50、100、200、500，沒有用其他的。
32.TEM和STEM圖像的差別？
TEM成像：照明平行束、成像相乾性、結果同時性、襯度隨樣品厚度和欠焦量發生反轉。由於所收集到散射界面上更多的透過電子，像的襯度更好！
STEM成像：照明會聚束、成像非相干、結果累加性，在完全非相干接收情況下像的襯度不隨樣品厚度和欠焦量反轉，可對更厚一點的樣品成像。
33.納米環樣品品（nanorings）怎麼制樣？
土辦法，把銅網放到你的樣品里，手動搖一會即可。這樣做樣品可以不用乙醇分散的，觀察前用洗耳球吹掉大顆粒即可，一般的納米級樣品這樣都能掛樣。只是刮樣的均勻度比較差些。
還有取一點樣品放到研缽里，用銅網像工地篩沙一樣多抄幾次也是可以的。
34.關於醋酸雙氧鈾的放射性
醋酸雙氧鈾中鈾236的半衰期長達2400萬年，沒多大問題，可以放心用！
35.內標法
採用已知晶格樣品（金顆粒），在相同電鏡狀態下（高壓），對應一些列相機長度，相機長度L就是你說的0.4、0.8和1米，通過電鏡基本公式H=Rd=Ls，（H相機常數s為波長），可以得到一組相機常數，保留好。以後就可以很方便的用了
36.什麼軟體可以模擬菊池圖？
JEMS可以，畫電子衍射花樣的時候選上菊池線就行了。
37.透射電鏡的金屬樣品怎麼做？
包括金屬切片、砂紙打磨、沖圓片、凹坑研磨、雙噴電解和離子減薄、FIB制樣（塊體樣品的制樣神器）。
38.透射電鏡薄膜樣品制備的幾種方法（真空蒸發法，溶液凝固法，離子轟擊減薄法，超薄切片法，金屬薄膜樣品的植被）的介紹
可以參考《電子顯微分析》章曉中老師、《材料評價的分析電子顯微學方法》劉安生老師
39.四氧化鋨的問題
樣品用四氧化鋨溶液浸泡,一方面可以對彈性體進行染色,一方面可以使塑料硬化。四氧化鋨揮發性果真強,把安醅瓶刻痕,放進厚玻璃瓶,用橡皮塞塞緊,晃破安醅瓶,用針筒注蒸餾水,使其溶解,當把橡皮塞拿開換成玻璃塞時,發現橡皮塞口部已經完全被熏黑!使用時一定要加防護,戴防護面具,手套,在毒氣櫃中操作,毒氣櫃上排氣一定要好.這樣對自己和他人都好!
40.製作高分子薄膜（polymer film）電鏡樣品
一般都是在玻璃或者ITO襯底上甩膜後，泡在水中，然後將膜揭下來。不過對於厚度小於100nm的薄膜，是很難用這種方法揭下來的。高分子溶液甩膜在光滑的玻璃上面（玻璃要用plazmaor uv ozon處理過）， 成膜後立即放在水裡面，（不要加熱和烘乾，否則取不下來）利用水的張力，然後用塑料鑷子從邊緣將薄膜與玻璃分開，可以處理大約70nm的膜。然後將膜放在grid上面就可以了！
41.如何將三個晶面指數轉化成四個的晶面指數
三軸晶面指數（hkl）轉換為四軸面指數為（hkil），其中i=-(h+k)
六方晶系需要用四軸指數來標定，一般的晶系如立方、正交等用三軸指數就可以了。
42.能譜的最低探測極限
在最佳的實驗條件下，能譜的最低探測極限在0.01-0.1%上下，離ppm還有些距離。如果可以製成TEM樣品，也許可以試試電子全息。半導體里幾個ppm的參雜可以用這個方法觀察到。
43.CCD比film的優勢
當前的TEM CCD已經可以完全替代底片，在像素點尺寸（小於20um）、靈敏度、線性度、動態范圍、探測效率和灰度等級均優於film。由於CCD極高的動態范圍，特別適合同時記錄圖像和電子衍射譜中強度較大的特徵和強度較弱的精細結構。
44.小角度雙噴,請教雙噴液如何選擇？
吳杏芳老師的書上有一個配方：
Cu化學拋光：50%硝酸＋25％醋酸＋25％磷酸 20攝氏度
CuNi合金：電解拋光 30mL硝酸＋50mL醋酸＋10mL磷酸
－－電子顯微分析實用方法，吳杏芳 柳得櫓編
45.非金屬材料在噴金時，材料垂直於噴金機的那個垂直側面是否會有金顆粒噴上去？
噴金時正對噴頭的平面金顆粒最多，也是電鏡觀察的區域，側面應該少甚至沒有，所以噴金時一般周圍側面用鋁箔來包裹起來增加導電性。
46.Z襯度像是利用STEM的高角度暗場探測器成像，即HAADF。能否利用普通ADF得到Z襯度像？
原子解析度STEM並不是HAADF的專利，ADF或明場探頭也可以做到，只是可直接解釋性太差，失去了Z襯度的優勢。HAADF的特點除了收集角高以外，其採集靈敏度也大大高於普通的ADF探頭。高散射角的電子數不多，更需要靈敏度。ADF的位置通常很低，採集角不高（即使是很短的相機長度），此外它的低靈敏度也不適合弱訊號的收集。
47.透射電鏡簡單分類？
透射電鏡根據產生電子的方式不同可以分為熱電子發射型和場發射型。熱電子發射型用的燈絲主要有鎢燈絲和六硼化鑭燈絲；場發射型有熱場發射和冷場發射之分。
根據物鏡極靴的不同可以分為高傾轉、高襯度、高分辨和超高分辨型。
48.TEM要液氮才能正常操作嗎？
不同於能譜探頭，TEM液氮冷卻並不是必須的，但它有助於樣品周圍的真空度，也有助於樣品更換後較快地恢復操作狀態。
49.磁性粒子做電鏡注意事項？
1.磁性粒子做電鏡需要很謹慎，建議看看相關的帖子
2.分散劑可以用表面活性劑，但是觀察的時候會有局部表面活性劑在電子束輻照下分解形成污染環，妨礙觀察。
50.電壓中心和電流中心的調整？
HT wobbler調整的是電壓中心，OBJ wobbler調整的是電流中心，也有幫助聚焦的wobbler－image x和imagey。
51.水熱法制備的材料如何做電鏡？
水熱法制備的材料容易含結晶水，在電子束的輻照下結構容易被破壞，試樣在電鏡的高真空中過夜，有利於去掉部分結晶水。估計你跟操作的老師說了，他就不讓你提前放樣品了。
52.TEM磁偏轉角是怎麼一會事，而又怎樣去校正磁偏轉角？
一般老電鏡需要校正磁偏轉角，新電鏡就不用做了。現在的電鏡介紹中都為自動校正磁偏轉角。
53.分子篩為什麼到導電？
分子篩的情況應該跟硅差不多吧。純硅基本不導電，單硅原子中的電子不像絕緣體中的電子束縛的那麼緊，極少量的電子也會因電子束的作用而脫離硅原子，形成少量的自由電子。留下電子的空穴，空穴帶有正電，起著導電作用。
54.電子衍射圖譜中都會發現有一個黑色的影子，是指示桿的影子，影子的一端指向衍射中心。為什麼要標記出這個影子在衍射圖譜中呢？
beam stopper主要為了擋住過於明亮的中心透射斑，讓周圍比較弱的衍射斑也能清晰的顯現。
55.HAADF-STEM掃描透射電子顯微鏡高角環形暗場像
高分辨或原子分辨原子序數（Z）襯度像（high resolution or atomic resolution Z-contrast imaging）也可以叫做掃描透射電子顯微鏡高角環形暗場像（HAADF-STEM）這種成像技術產生的非相干高分辨像不同於相干相位襯度高分辨像，相位襯度不會隨樣品的厚度及電鏡的焦距有很大的變化。像中的亮點總是反映真實的原子。並且點的強度與原子序數平方成正比，由此我們能夠得到原子解析度的化學成分信息。
56.TEM里的潘寧規
測量真空度的潘寧規不測量了，工程師讓拆下清洗，因為沒有＂內卡鉗＂，無法完全拆卸，只好用N2吹了一會兒，重新裝上後也恢復正常了，但是工程說這樣治標不治本，最好是拆卸後用砂紙打磨，酒精清洗．
57.電子衍射時可否用自動曝光時間,若手動曝光.多少時間為宜？
電子衍射不能用自動曝光，要憑經驗。一般11或16秒，如果斑點比較弱，要延長曝光時間。
58.CCD相機中的CCD是什麼意思？
電荷耦合器件：charge-coupled device
具體可以參見《材料評價的分析電子顯微方法》中Page35－42頁。
59.有公度調制和無公度調制
有許多材料在一定條件下，其長程關聯作用使得晶體內局域原子的結構受到周期性調制波的調制。若調制周期是基本結構的晶格平移矢量的整數倍，則稱為有公度調制；若調制周期與基本結構的晶格平移矢量之比是個無理數，稱為無公度調制。涉及的調制結構可以是結構上的調制，成分上的調制，以及磁結構上的調制。調制可以是一維的、二維的，和三維的。
60.高分辨的粉末樣品需要多細？
做高分辨的粉末樣品，就是研磨得很細、肉眼分辨不了的顆粒。幾十個納米已經不算小了。顆粒越小，越有可能找到邊緣薄區做高分辨，越有利於能損譜分析；顆粒越大，晶體越容易傾轉到晶帶軸（比如做衍射分析），X-光的計數也越高。
61.電鏡燈絲的工作模式？
鎢或LaB6燈絲在加熱電流為零時，其發射電流亦為零。增加加熱電流才會有發射電流產生，並在飽和點後再增加加熱電流不會過多地增加發射電流。沒有加熱電流而有發射電流，實際上就是冷場場發射的工作模式。但這也需要很強的引出電壓（extraction voltage）作用在燈絲的尖端。
62.晶體生長方向？
晶體生長方向就是和電子衍射同方向上最低晶面指數的一個面，然後簡化為互質的指數即可。比如如果是沿著晶體的生長方向上是(222)，那麼應該(111)就是生長方向。
63.N－A機制
小單晶慢慢張大，最後重結晶成單晶，叫做N－A機制，nucleation-aggregation mechanism.
64.透射電鏡能否獲得三維圖象?
可以做三維重構，但需要特殊的樣品桿和軟體。
65.納米纖維TEM
做PAN基碳纖維，感覺漂移現象可能是兩個原因造成的：一是樣品沒有固定好，二是導電性太差。我們在對纖維樣品做電鏡分析時一般採用把纖維包埋然後做超薄切片的方法，如果切的很薄（30～50nm），可以不噴金，直接撈到銅網中觀察即可。
66.離子減薄過程
在離子減薄之前，應該用砂紙和釘薄機對樣品進行機械預減薄，機械預減薄後樣品的厚度為大約10微米，再進行離子減薄。
離子減薄時，先用大角度15-20度快速減薄，然後再用小角度8-10度減至穿孔。
67.四級-八級球差矯正器的工作原理？
如果想要了解一下原理，看看相關的文章就可以了。
比如
Max Haider et al,Ultramicroscopy 75 (1998) 53-60
Max Haider et al,Ultramicroscopy 81 (2000) 163-175
68.明場象和暗場象
明場象由投射和衍射電子束成像，
暗場象由某一衍射電子束（110）成像，看的是干涉條紋。
69.在拍照片時需要在不同的放大倍數之間切換，原先調好的聚光鏡光闌往往會在放大倍數改變後也改變位置，也就是光斑不再嚴格同心擴散，為什麼？
這很正常，一般做聚光鏡光闌對中都是在低倍（40K）做，到了高倍（500K）肯定會偏，因為低倍下對中不會對的很准。
一般來說，聚光鏡光闌我都是最先校正的，動了它後面那幾項都要重新調的。准備做高分辨的時候，一般直接開始就都在准備拍高分辨的倍數下都合好了，這樣比較方便。
70.能量過濾的工作原理是什麼？
能量過濾像的工作原理簡單的可以用棱鏡的分光現象來理解，然後選擇不能能量的光來成像。
能量過濾原理是不同能量(速度)電子在磁場中偏轉半徑不一樣（中學時經常做的那種計算在羅倫茨力作用電子偏轉半徑的題),那麼在不同位置上加上一個slit,就這樣就過濾出能量了。
71.真空破壞的後果
影響電鏡壽命倒不會，影響燈絲壽命是肯定的。
72.EDX成分分析結果每次都變化
EDX成分分析結果每次都變化的情況其實很簡單，在能譜結果分析軟體中，View菜單下有個Periodic table， 在其ROI情況下選擇你要作定量的元素，滑鼠右鍵選出每個元素所要定量的峰，重新作定量就不會出現你所說的問題。
73.使用2010透射電子顯微鏡時，發現：當brightness聚到一起時，按下imag x 呈現出兩個非同心的圓，調整foucs就會使DV 只不等於零。請問各位，如果想保持dv=0，需要進行怎樣的調整？
把dv調節到＋0，然後用z軸調節樣品高度，使imagex的呈最小抖動即可。
74.圖象襯度問題
樂凱的膠片襯度比柯達的要差一些，但性價比總是不錯的。建議使用高反差顯影液來試試。
可以用暗場提高襯度，我一直在用暗場拍有機物形貌！wangmonk(2009-6-06 07:33:02)
75.高分子染色的問題
磷鎢酸是做負染樣品用的染液,我們通常用1%或2%的濃度,濃度大了會出現很多黑點或結晶狀團塊.另外樣品本身濃度很關鍵,可多試幾個濃度.樣品中如果有成分易與染液結合的也會出現黑點或黑聚集團.磷鎢酸用來染色如尼龍即聚醯胺可使其顯黑色，以增加高分子材料的襯度。而鋨酸可以使帶雙鍵的高分子材料顯黑色。
根據自己的要求選擇合適的染色劑是觀察的關鍵！
76.什麼是亞晶？
亞晶簡單的說就是在晶粒內部由小角晶界分隔開的，小角晶界主要由位錯構成，相鄰的亞晶的晶體取向差很小。
77.FFT圖與衍射圖有什麼對應的關系呢？
它們都是頻率空間的二維矢量投影， 都是和結構因子有關的量，都可以用於物相標定，但在衍射物理中含義不同，運算公式不同，不可混為一談。
FFT是針對TEM圖像的像素灰度值進行的數學計算，衍射是電子本身經過樣品衍射後產生的特殊排列。
78.調幅結構的衍射圖什麼樣的?
衍射斑點之間有很明顯的拉長的條紋。
80.什麼是明場、暗場、高分辨像？
在衍射模式下，加入一個小尺寸的物鏡光闌，只讓透射束通過得到的就是明場像；只讓一個衍射束通過得到的就是暗場像；加一個大的物鏡光闌或不加，切換的高倍（50萬倍以上）成像模式，得到高分辨像。當然能不能得到高分辨像還要看晶帶軸方向、樣品的厚度和離焦量等是否合適。
7、求解絕緣材料對蒸發技術的重要性，還有淀積的注入設備和化學品有哪些？
所謂的真空鍍膜時被設置在真空室中的被鍍件的，加熱的材料，可以使用一定的方法鍍的電鍍材料和襯底，所以，蒸發或升華，和飛行濺射縮合的方法，膜形成在基板表面的被鍍件。
，在真空條件下的塗布方法和分類
沉積具有許多優點：蒸發材料的原子，分子在分子碰撞在飛行基板處理可以減少，從而減少氣體中的活性分子和蒸發源材料（如氧化物，等）之間的化學反應，並以降低氣體分子在膜形成工序中的雜質的量成片，從而提供的膜密度，純度，沉積速率和粘附襯底上。一般，真空氣相沉積需要的沉積室的壓力等於或小於10-2PA為蒸發源的距離和在襯底和薄膜的質量要求高，在較低的壓力要求。
分為以下幾類：
蒸發鍍膜，濺射離子鍍。
蒸鍍：的物質通過加熱蒸發，它沉積在固體表面上，稱為蒸鍍。這種方法在1857年由M.法拉第首次提出，現代已經成為一個常用的塗層技術。
蒸發材料放置在坩堝中，作為蒸發源，如金屬，化合物等，被鍍件的工件，如金屬，陶瓷，塑料和其他襯底上的熱絲或掛起的坩堝放置在前面。直到系統被抽高真空，加熱坩堝，其中的材料煮沸。蒸發的材料的原子或分子被沉積在基板表面上凝結。的膜的厚度可以是幾百埃到幾微米。的膜的厚度依賴於蒸發源，蒸發速率和時間（或決定裝載容量），和與距離的源極和襯底。對於大面積塗層，通常由基板或多個蒸發源旋轉的方式，以確保膜的厚度的均勻性。從蒸發源到基板的距離應小於殘余氣體中的氣體分子的平均自由路徑，從而使氣體分子與殘余氣體分子碰撞引起的化學作用。約0.1?0.2電子伏特的蒸汽分子的平均動能。
蒸發源有三種類型。 ①電阻加熱源：用難熔金屬，如鎢，鉭舟箔或絲狀通電，在它上面的加熱或放置在坩堝中蒸發的物質（圖1 [蒸發鍍膜設備示意圖]）電阻加熱的主要來源材料蒸發，鎘，鉛，銀，鋁，銅，鉻，金，鎳，等。 ②高頻感應加熱源：在坩堝和蒸發的材料通過感應電流加熱。 ③電子束加熱源：適用於較高的蒸發溫度（不低於2000 [618-1]）的材料，即允許蒸發的材料的電子束轟擊。的
蒸發鍍膜，具有高的沉積速率，與其他真空蒸鍍法相比，可以鍍有一個單一的系統的質量和容易熱分解的化合物膜。
分子束外延法，可以用於高純度的單晶膜的沉積。 [分子束外延裝置的示意圖在圖2中摻雜的GaAlAs的移動設備的單晶層的分子束外延生長。噴射爐配備一個分子束源，在超高真空下時，它被加熱到一定溫度，在爐中的元素向基板的束狀分子流。該襯底加熱到??一定的溫度，分子可以通過分子束外延法基板遷移，生長晶格順序在襯底上沉積的高純度化合物的單晶薄膜，膜增長最慢的，以獲得所需的化學計量比的速度可以被控制在一個單層/秒。通過控制阻尼器可以精確地製成的單晶薄膜的所需的組合物和結構。分子束外延方法，廣泛使用製造各種光學集成器件和超晶格結構的各種膜。
濺射鍍膜：高能粒子轟擊的固體表面，使顆粒的固體表面，以獲得能源和逃脫的表面，並沉積在襯底上。濺射現象開始於1870年，自1930年以來，由於增加沉積速率逐漸應用於工業生產中使用的塗層技術。中常用的二極體濺射二極體濺射示意圖所示的裝置在圖3中[二]。待沉積的材料的片材通常由 - 目標被固定在陰極上。的目標表面上的陽極基板被放置在遠離目標幾厘米。抽高真空，充入的氣體（通常是氬氣），和數千伏特10-1 Pa時，採用輝光放電產生的磁極之間的陰極和陽極電壓之間。在飛在電場中的放電所產生的正離子的陰極，與靶表面原子的碰撞從靶表面的靶原子逸出碰撞，稱為濺射原子，1至幾十電子伏特范圍中的能量。淀積在襯底表面上沉積的濺射原子。與蒸發鍍膜法，濺射法是有限的，可以是從薄膜材料濺射W，鉭，C，鉬，和WC，碳化鈦，以及其他難熔物質的熔點。濺射化合物膜可以用作反應性濺射，反應氣體（O，N，HS，CH，等）被添加到的Ar氣，將反應氣體和其離子與靶原子或濺射原子的反應生成的化合物（例如作為氧化物，氮化合物等）沉積在襯底上。沉積的絕緣膜，可以是一個高頻率濺射法。被安裝在基板上的接地電極，絕緣靶安裝在相反的電極上。接地的一端通過匹配網路的高頻功率源的一端，並配備與隔直流電容電極的絕緣目標接收。後的高頻電源接通時，改變的高頻電壓的極性。的電壓的正半周期和負的半周期中的等離子體中的電子和正離子，分別打在絕緣目標。由於電子遷移率是高的正離子，靶的表面的絕緣層是帶負電荷的，動態的平衡達到，目標是在負的偏置電位，所以，到目標的正離子濺射正在進行。採用磁控濺射沉積速率提高了近一個數量級，比非磁控濺射。
離子鍍分子的電子轟擊離子源的氣化物質的離子沉積在固體表面，稱為離子鍍。該技術D. Maituokesi 1963年。離子鍍是真空蒸鍍，陰極濺射技術的組合。 [離子鍍系統原理圖圖4中所示的一離子塗覆系統]，基片作為陰極，陽極和殼體填充用惰性氣體（如氬氣），以產生輝光放電階段。電離的等離子區的分子通過從蒸發源蒸發。基板台加速度的負電壓的正離子擊中在襯底的表面。未電離的中性原子（約95％）的被蒸發的材料沉積在基板上或真空室壁上的表面。電場對離子化蒸氣分子（約幾百到幾千電子伏的離子能量）的加速效果，和氬離子濺射在襯底上，以使薄膜的粘合強度大大提高的清潔動作。離子鍍工藝集成蒸發（高沉積速率）和濺射（良好的薄膜粘合）特徵的過程，而形狀復雜的工件塗層具有良好的衍射。的
膜厚度測量
隨著技術和應用的精密儀器，膜厚測量方法，按照與測量點的提高可分為兩類：直接測量和間接測量。直接測量是指在測量儀器的應用，通過直接感測的膜的厚度的接觸（或光學接觸）。
常見的直接測量：千分尺的方法，精密輪廓掃描方法（兩步法），掃描電子顯微鏡法（SEM）;
間接測量根據一定的物理關系，將相關的已計算出的物理量轉換為的膜的厚度，從而達到測量的膜的厚度的目的。
常見的間接法測量稱重法，。電容，電阻法律，等厚干涉法，可變角干涉，橢圓的方法。根據與測量的原則可分為三類：稱重法，電法，光學方法。
常見的稱重法：平衡法，石英，原子序數分析;
常見的電法電阻法，電容法，渦流法;
常見的光學方法有：厚干涉變數角度干涉，光吸收法，橢圓。
下面簡要介紹三種：
的干涉顯微鏡方法
干涉條紋間距Δ0條紋移動Δ，樓梯高為T =（Δ/Δ0）*0.5λ措施Δ0，Δ，其中λ是單色光的波長，如用白色光，λ為530nm。
2。稱重法
膜面積A，密度ρ，質量為m，可以准確測量的膜厚度t可以計算如下：
D = M /Aρ。
廣泛使用中的實時測量的厚度的薄膜沉積工藝，主要用於在淀積速率和厚度監測方法的石英晶體振盪器，也可以打開（與電子技術相結合）受控物質蒸發或濺射率，為了實現在沉積過程的自動控制。
對於膜的製造商，該產品的厚度均勻性是最重要的指標之一，要有效地控制的材料的厚度，厚度的測試設備是必不可少的，但具體的厚度測量值，選擇哪個類設備需要根據類型的軟性包裝材料的厚度均勻性的要求，製造商，以及設備的測試范圍。
真空鍍膜機保養知識：
1。關閉泵供熱系統，然後分離的沉積腔室（主要是清潔灰塵蒸發殘渣）
關閉電源或計劃進入維護狀態
3。清潔繞組系統（滾子方電阻探針，光密度測量）
干凈的油煙機室（面板4周）
泵系統冷卻清洗後（注意，不要落入的雜物，檢查泵油使用時間計更換或添加處理）
設備和電氣櫃檢查沉重的冷這次實習給了我們理解的塗層技術原理，技術，讓我們了解工廠的生產，感覺很新奇，從中學到了很多。
8、substrate temperature什麼意思
substrate temperature
襯底溫度；基板溫度；基片溫度
例句
1.
Foam rise and cure times will vary according to the material and substrate temperature.
起沫及固化時間根據材料及基材溫度會有所變化。
2.
Effect of Substrate Temperature on Crystallization Temperature of NiTi Thin Films
襯底溫度對NiTi薄膜晶化溫度的影響
3.
To optimise the growth conditions, the growth rate and the substrate temperature were changed systematically.
為了優化生長條件，生長速度和系統襯底溫度發生了變化。
4.
Fig. 4 SEM images of diamond deposited by raising substrate temperature
圖4提高基片溫度後沉積金剛石的SEM照片
5.
Researching the impact of different substrate temperature on performances of Pesudo-alloy coating.
研究不同的基體溫度對偽合金性能的影響。
6.
Effect of substrate temperature on depositing quality of diamond thick film
基體溫度對金剛石厚膜沉積質量的影響
9、那位高手幫下忙啊翻譯下啊 謝謝
Uses magnetism to control the sputtering the method, under the perfect vacuum condition, in Si (100) on the substrate the deposited metal iron, then the annealing carries on the heat treatment in the vacuum annealing furnace to the sample (through temperature and annealing time), used the X-ray diffractometer (XRD) to carry on the crystal analysis to the sample, the use scanning electron microscope (SEM) the surface structure has carried on the attribute to the sample nearby, finally indicated that annealing 15h had under 920℃-960℃ the condition β-FeSi 2 appears, but the front value was very small other is the Fe-Si simple substance or the compound, annealing 30h-60h also had under 940℃ the condition β-FeSi 2 appears is not very obvious, indicated the annealing condition (The time and the temperature) form to the Fe-Si compound have the very tremendous influence.
老兄 有免費的在線翻譯的網站的~ 給你個以後自己上上面去翻譯吧呵呵~~