SEM和晶界

1、掃描電鏡與透射電鏡的區別？

1、結構差異:

主要體現在樣品在電子束光路中的位置不同。透射電鏡的樣品在電子束中間，電子源在樣品上方發射電子，經過聚光鏡，然後穿透樣品後，有後續的電磁透鏡繼續放大電子光束，最後投影在熒光屏幕上;掃描電鏡的樣品在電子束末端，電子源在樣品上方發射的電子束，經過幾級電磁透鏡縮小，到達樣品。當然後續的信號探側處理系統的結構也會不同，但從基本物理原理上講沒什麼實質性差別。

2、基本工作原理:

透射電鏡：電子束在穿過樣品時，會和樣品中的原子發生散射，樣品上某一點同時穿過的電子方向是不同，這樣品上的這一點在物鏡1-2倍焦距之間，這些電子通過過物鏡放大後重新匯聚，形成該點一個放大的實像，這個和凸透鏡成像原理相同。這里邊有個反差形成機制理論比較深就不講，但可以這么想像，如果樣品內部是絕對均勻的物質，沒有晶界，沒有原子晶格結構，那麼放大的圖像也不會有任何反差，事實上這種物質不存在，所以才會有這種儀器存在的理由。

掃描電鏡：電子束到達樣品，激發樣品中的二次電子，二次電子被探測器接收，通過信號處理並調制顯示器上一個像素發光，由於電子束斑直徑是納米級別，而顯示器的像素是100微米以上，這個100微米以上像素所發出的光，就代表樣品上被電子束激發的區域所發出的光。實現樣品上這個物點的放大。如果讓電子束在樣品的一定區域做光柵掃描，並且從幾何排列上一一對應調制顯示器的像素的亮度，便實現這個樣品區域的放大成像。

3、對樣品要求

(1)掃描電鏡

SEM制樣對樣品的厚度沒有特殊要求，可以採用切、磨、拋光或解理等方法將特定剖面呈現出來，從而轉化為可以觀察的表面。這樣的表面如果直接觀察，看到的只有表面加工損傷，一般要利用不同的化學溶液進行擇優腐蝕，才能產生有利於觀察的襯度。不過腐蝕會使樣品失去原結構的部分真實情況，同時引入部分人為的干擾，對樣品中厚度極小的薄層來說，造成的誤差更大。

(2)透射電鏡

由於TEM得到的顯微圖像的質量強烈依賴於樣品的厚度，因此樣品觀測部位要非常的薄，例如存儲器器件的TEM樣品一般只能有10～100nm的厚度，這給TEM制樣帶來很大的難度。初學者在制樣過程中用手工或者機械控制磨製的成品率不高，一旦過度削磨則使該樣品報廢。TEM制樣的另一個問題是觀測點的定位，一般的制樣只能獲得10mm量級的薄的觀測范圍，這在需要精確定位分析的時候，目標往往落在觀測范圍之外。目前比較理想的解決方法是通過聚焦離子束刻蝕(FIB)來進行精細加工。

(1)SEM和晶界擴展資料：

透射電子顯微鏡的成像原理 可分為三種情況：

（1）吸收像：當電子射到質量、密度大的樣品時，主要的成相作用是散射作用。樣品上質量厚度大的地方對電子的散射角大，通過的電子較少，像的亮度較暗。早期的透射電子顯微鏡都是基於這種原理。

（2）衍射像：電子束被樣品衍射後，樣品不同位置的衍射波振幅分布對應於樣品中晶體各部分不同的衍射能力，當出現晶體缺陷時，缺陷部分的衍射能力與完整區域不同，從而使衍射波的振幅分布不均勻，反映出晶體缺陷的分布。

（3）相位像：當樣品薄至100Å以下時，電子可以穿過樣品，波的振幅變化可以忽略，成像來自於相位的變化。

2、掃描電鏡SEM和透射電鏡TEM的區別

掃描電鏡，是觀察樣品表面的結構特徵；
透射電鏡，是觀察樣品的內部精細結構。

3、TEM和SEM的工作原理差別?

1、掃描電子顯微鏡 SEM(scanning electron microscope)

（1）、掃描電子顯微鏡工作原理：
是1965年發明的較現代的細胞生物學研究工具，主要是利用二次電子信號成像來觀察樣品的表面形態，即用極狹窄的電子束去掃描樣品，通過電子束與樣品的相互作用產生各種效應，其中主要是樣品的二次電子發射。二次電子能夠產生樣品表面放大的形貌像，這個像是在樣品被掃描時按時序建立起來的，即使用逐點成像的方法獲得放大像。
（2）掃描電子顯微鏡的製造是依據電子與物質的相互作用。當一束高能的人射電子轟擊物質表面時，被激發的區域將產生二次電子、俄歇電子、特徵x射線和連續譜X射線、背散射電子、透射電子，以及在可見、紫外、紅外光區域產生的電磁輻射。同時，也可產生電子-空穴對、晶格振動 (聲子)、電子振盪 (等離子體)。原則上講，利用電子和物質的相互作用，可以獲取被測樣品本身的各種物理、化學性質的信息，如形貌、組成、晶體結構、電子結構和內部電場或磁場等等。掃描電子顯微鏡正是根據上述不同信息產生的機理，採用不同的信息檢測器，使選擇檢測得以實現。如對二次電子、背散射電子的採集，可得到有關物質微觀形貌的信息;對x射線的採集，可得到物質化學成分的信息。正因如此，根據不同需求，可製造出功能配置不同的掃描電子顯微鏡。

2、透射電鏡TEM (transmission electron microscope)

（1）透射電鏡工作原理：
是以電子束透過樣品經過聚焦與放大後所產生的物像， 投射到熒光屏上或照相底片上進行觀察。
（2）透射電鏡的解析度為0.1～0.2nm，放大倍數為幾萬～幾十萬倍。由於電子易散射或被物體吸收，故穿透力低，必須制備更薄的超薄切片（通常為50～100nm）。其制備過程與石蠟切片相似，但要求極嚴格。要在機體死亡後的數分鍾釣取材，組織塊要小(1立方毫米以內），常用戊二醛和餓酸進行雙重固定樹脂包埋,用特製的超薄切片機（ultramicrotome）切成超薄切片，再經醋酸鈾和檸檬酸鉛等進行電子染色。電子束投射到樣品時，可隨組織構成成分的密度不同而發生相應的電子發射，如電子束投射到質量大的結構時，電子被散射的多，因此投射到熒光屏上的電子少而呈暗像，電子照片上則呈黑色。稱電子密度高（electron dense）。反之，則稱為電子密度低（electron lucent）。

4、SEO和SEM的區別是?

SEO（Search Engine Optimization）利用搜索引擎的規則提高網站在有關搜索引擎內的自然排名。目的是：為網站提供生態式的自我營銷解決方案，讓其在行業內占據領先地位，獲得品牌收益；SEO包含站外SEO和站內SEO兩方面；為了從搜索引擎中獲得更多的免費流量，從網站結構、內容建設方案、用戶互動傳播、頁面等角度進行合理規劃，還會使搜索引擎中顯示的網站相關信息對用戶來說更具有吸引力。

SEM（Search Engine Marketing ）就是搜索引擎營銷，就是根據用戶使用搜索引擎的方式利用用戶檢索信息的機會盡可能將營銷信息傳遞給目標用戶。SEM還可以通過對網站內部調整優化及站外優化，使網站滿足搜索引擎收錄排名需求，在搜索引擎中關鍵詞排名提高，從而把精準用戶帶到網站，獲得免費流量，產生直接銷售或品牌推廣。

SEM和SEO的區別

SEO(Search Engine Optimization)：漢譯為搜索引擎優化。是一種方式：利用搜索引擎的規則提高網站在有關搜索引擎內的自然排名。

SEM和SEO的不同之處

1、SEM需要付費給搜索引擎，SEO則不需要。

2、SEM和SEO的優化手段不同，SEM主要是針對賬號結構、創意、點擊價格等來優化。SEO主要是通過優化網站的內容和外鏈，來獲取在搜索引擎上的排名。

3、SEM需要比較多的廣告費，SEO對技術的要求比較高。

SEM和SEO相同之處

1、都是圍繞搜索引擎的營銷手段，通過搜索引擎來獲得用戶。

2、SEM的排名通常在SEO的前面，SEM的排名也有在搜索結果頁的底部和右側的，但是在這兩個地方的用戶的點擊量很少。

SEM和SEO各有側重點，個人或者企業可以根據自身的情況來選擇其中的一種營銷方式，也可以兩種都選擇。

SEM和SEO哪個好

競爭非常低的產品和競爭非常高的產品適合做SEM。

1、競爭非常低的產品做SEM比較好，因為這些產品很少有人關注，你做了SEM，你就能排名第一，可以花最少的資金得到最靠前的排名。

2、競爭非常高的產品做SEM比較好，因為競爭高的產品優化難度也很高，如果做SEO，不可能做好，只能通過SEM付費廣告來獲取排名。

3、競爭度適中的目標關鍵詞適合SEO，這些關鍵詞具有一定的百度指數，有一定的市場需求，而且優化難度也不大。

總結：能用SEO解決的問題，肯定用SEO，畢竟SEM需要付費，如果SEO不能解決的問題，再用SEM，並不是說SEM不好，而是SEO更加節省費用，而且可以長期保持網站排名。

5、SEM-EBSP和SEM-ECC是什麼技術？

SEM 掃描電子顯微鏡
EBSD 電子背散射衍射
EBSP 電子背散射衍射花樣
ECC 電子通道襯度

6、SEM和TEM區別

SEM，全稱為掃描電子顯微鏡，又稱掃描電鏡，英文名Scanning
Electronic
Microscopy.
TEM，全稱為透射電子顯微鏡，又稱透射電鏡，英文名Transmission
Electron
Microscope.
區別：
1.
SEM的樣品中被激發出來的二次電子和背散射電子被收集而成像.
TEM可以表徵樣品的質厚襯度，也可以表徵樣品的內部晶格結構。TEM的解析度比SEM要高一些。
2.
SEM樣品要求不算嚴苛，而TEM樣品觀察的部分必須減薄到100nm厚度以下，一般做成直徑3mm的片，然後去做離子減薄，或雙噴（或者有厚度為20~40μm或者更少的薄區要求）。
3.
TEM可以標定晶格常數，從而確定物相結構；SEM主要可以標定某一處的元素含量，但無法准確測定結構。

7、請教金相圖與SEM圖的區別~

金相觀察是依賴可見光的反射,其原理是被腐蝕的晶界處發生漫反射,在照片上是暗的;未被腐蝕的晶粒內部發生的是鏡面反射,在照片上是亮的.SEM分二次電子像和背散射電子像:二次電子像必須腐蝕樣品,不腐蝕的話什麼都看不到.照完金相的樣品可以直接照二次電子,但照片的情況有所不同,<1000倍時,二次電子像觀察到的晶界是亮的,因為晶界被腐蝕掉,樣品在晶界出現稜角,二次電子的產額大,因此是量的,晶界內部反而暗.如果倍數放到足夠大,能夠看清晶界處的腐蝕程度和凹凸情況;背散射電子像是分析樣品的成分分布,最好不要腐蝕樣品,因為腐蝕樣品會把第二相腐蝕掉.