gc3n4sem圖

1、g-C3N4光催化劑的制備，具體步驟

g‑C3N4光催化劑的來制備方法，源其特徵在於，將三聚氰胺，尿素，三聚氰酸三種原料加入乙醇中，通過攪拌，超聲，再攪拌，乾燥過程得到前驅體，然後在管式爐中煅燒，最終制備得到不同形貌的g‑C3N4光催化劑。

2、g-C3N4溶於乙醇,超聲30分鍾,然後抽濾可以得到g-C3N4薄膜嗎？

這個應該不行的，第一要看你的氮化碳的厚度，第二超聲的頻率是多大？

3、求大神解惑SEM的圖像分析

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4、為什麼石墨氮化碳g-C3N4中的g要使用斜體

太陽能電池復的構造多種多制樣，現在多使用由P型半導體與N型半導體組合而成的PN結型太陽能電池，主要由P型和N型半導體、電極以及反射防止膜等元件構成。對於由2種不同的硅半導體（P型與N型）結合而成的太陽能電池，當太陽光照射時，太陽的光能被太陽能電池吸收，產生正離子（正孔）和負離子（電子），正離子向P型半導體集結，負離子向N型半導體集結，當太陽能電池的表面和背面的電極之間接上負載時，便有電流流過。太陽能電池的種類可根據其使用的材料分為：硅系太陽能電池、化合物系太陽能電池和有機半導體系太陽能電池。

5、合成g-c3n4用什麼前驅體好

太陽能電池的構造多種多樣，現在多使用由P型半導體與N型半導體組合而成的PN結型太陽內能電池容，主要由P型和N型半導體、電極以及反射防止膜等元件構成。對於由2種不同的硅半導體（P型與N型）結合而成的太陽能電池，當太陽光照射時，太陽的光能被太陽能電池吸收，產生正離子（正孔）和負離子（電子），正離子向P型半導體集結，負離子向N型半導體集結，當太陽能電池的表面和背面的電極之間接上負載時，便有電流流過。
太陽能電池的種類可根據其使用的材料分為：硅系太陽能電池、化合物系太陽能電池和有機半導體系太陽能電池。

6、g-C3N4的XRD圖上在10°左右出現比13°更強的衍射峰 不知道怎麼回事

不同物相都是有固定角度的衍射峰，一般就是三強峰，既可以確定一種物相，由於晶面擇優取向，片狀晶體的衍射峰會出現三強峰的強度變化現象。

7、求助g-C3N4的XRD標准卡片

卡片庫70多MB，還要分卷壓縮，我也不知道你有沒有相關軟體可以瀏覽。不如你告訴我QQ 我給你傳一個jade6，自帶卡片庫，你自己檢索。

8、氮化碳的氮化碳的合成研究

在理論的預言下，人們採用各種手段試圖在實驗室合成出這種新的低密度高硬度的非極性共價鍵化合物，常用的制備方法有震盪波壓縮、高壓熱解、離子注入、反應濺射、等離子體化學氣相沉積、電化學沉積、離子束沉積、低能離子輻射、脈沖電弧放電和脈沖激光誘導等，但這種超硬材料的合成結果並不理想，主要表現在沉積物多為非晶CN薄膜，少數實驗得到納米級尺寸的C3N4晶粒鑲嵌於非晶薄膜中，很少得到大顆粒的晶體。另外，目前又沒有天然存在的標樣，而且由於氮化碳幾種相態的能量相近，在制備的薄膜中很難得到單一相的氮化碳化合物，使得對這種材料的准確表徵存在很多困難，如對IR光譜吸收峰位置的確切解釋，X射線衍射（XRD）或透射電鏡（TEM）結果與預言值之間的較大差別，Raman光譜僅表現為石墨或無定形碳膜的特徵光譜等，這些困難使得目前的氮化碳的合成研究進展緩慢。但一些研究結果表明非晶CN薄膜也具有很高的硬度、耐磨性、儲氫性能以及優異的場發射性能，值得人們深入研究。 在氮化碳晶體的合成研究中，相對於其他的合成方法，物理或化學氣相沉積方法取得了較好的研究結果。通過在反應體系中引入高活性的氮、碳原子或離子，從而在基片上沉積氮化碳薄膜。
首次關於β-C3N4晶體的人工合成實驗結果的報道是將高濃度的氮原子引入到脈沖激光燒蝕石墨靶產生的碳原子中，TEM數據與理論計算值相當吻合，分析證實了β-C3N4晶體的存在。但由於該方法制備的C—N膜的結晶仍然較差，且β-C3N4晶體的晶粒尺寸小於10nm，在該研究報道中並未給出氮化碳晶體直觀的SEM形貌圖。最早的β-C3N4晶體形貌照片是KMYU在氮氣氛下利用射頻濺射石墨靶分別研究Si和Ge基片上沉積時得到的氮化碳薄膜，並在Si基片上觀察到~1μm大小的單晶體。由於該單晶體只是在硅基片與C—N薄膜的界面出現，在C—N薄膜中很難發現，同時在Ge基片上不出現，且由於Si基片的影響，研究報道中未給出晶體組成原子的定量比，考慮到這些因素，該晶體很難排除Si原子的影響，而可能是在其他研究中發現的C3-xSixNy晶體。
為了排除Si的影響，王恩哥等人利用偏壓輔助熱絲化學沉積方法在Ni襯底上首次製得了晶體形貌清晰的C3N4六棱體。但是由於在化學氣相沉積條件下更容易生成C—H和N—H產物，使得採用等離子體化學氣相沉積或物理氣相沉積方法制備的氮化碳薄膜大多是非晶態的，很多研究工作集中在薄膜的力學性能、場發射性能等方面，而關於氮化碳晶體的合成與結構研究進展緩慢。 近年來，液相電沉積技術也被用於氮化碳薄膜的合成研究中。目前在電沉積研究中，大多採用有機溶液作為電解液，合成的氮化碳薄膜多為非晶膜。紅外光譜分析（FT-IR）表明薄膜中存在C—N和C═N鍵。改變電極結構和提高工作電壓導致電極間出現火花放電的實驗證實薄膜中有C3N4晶體出現，分析表明含氮的有機物在強電場的作用下分子發生斷裂，生成了碳氮直接相連的分子碎片，有利於氮化碳晶體的生成，但XRD的結果分析中仍然存在不確定的衍射峰。電化學沉積氮化碳薄膜的機理也有待於進一步的研究。
在氮化碳晶體的合成研究中，採用相同的合成技術，不同的研究者在晶體形貌的直觀觀察、結構測定和光譜分析等方面很少有可以相互驗證的研究結果，這一點與上世紀80年代末發現另一種超硬材料金剛石可以用化學氣相沉積法來低壓合成後所面臨的研究狀況完全不相同，從這個角度來看，氮化碳晶體的合成尚有待尋求新的合成技術。 由於實驗中很難得到大的高質量的氮化碳單晶，氮化碳的結構表徵也存在著很大的不確定性。在氮化碳的晶體結構表徵中，早期的研究多是對所製得的主要由氮、碳組成的薄膜作X射線衍射分析，然後將衍射結果與理論預言值相比較，以此來分析氮碳薄膜的結晶情況。但由於理論預言的幾種氮化碳晶體的結合能非常接近，在生長過程中容易競相生長，不同相的XRD譜線可能重疊，同時薄膜的結晶度很低，X射線衍射的強度又比較低，使得衍射峰的歸宿存在很大的不確定性，從而降低了這種表徵方法的可信度。利用透射電鏡對單個的微小晶體進行觀察測試可以得到較為准確的結果，但由於樣品的制備困難，這方面的研究報道較少。
由於採用多種方法所合成的氮化碳薄膜中氮碳原子比一般均比氮化碳晶體的理論配比小，因此氮在氮碳薄膜中的含量成為評價薄膜質量的一個重要因素。在關於氮碳薄膜的氮碳原子的含量和化學鍵的分析研究中，X射線光電子能譜（XPS）、能量色散X射線分析（EDXA）以及Auger電子譜（AES）等技術被廣泛應用。薄膜中氮的含量隨反應等離子體中氮分壓的增加而增加，但通常是在氮分壓較小時，薄膜中氮原子的含量隨氮分壓的增加而快速增加，當氮分壓較高後，薄膜中氮原子含量趨於飽和。在利用氮、碳離子束沉積中，薄膜中的氮含量在氮離子含量較低時，薄膜中氮的含量隨離子束中氮離子的含量的增加而增加，但當氮離子含量太高時，由於濺射效應，在Si基體上除了氮化硅薄膜的生成外，觀察不到氮化碳薄膜的生成。脈沖激光沉積中也有類似的規律。在薄膜結構的分析中，XPS分析技術被廣泛使用。通過對C1s、N1s譜線的擬合來確定薄膜中氮碳原子的含量和成鍵狀態。由於氮碳薄膜中雜質原子的影響，XPS譜的擬合分析結果也不一致。在一些研究中，將XPS、Raman光譜和紅外光譜結果結合起來分析，得到可相互驗證的結果。通過對氮碳鍵的分析，尋找有利於sp3碳鍵C—N鍵形成的合成方法和條件，是合成β-C3N4晶體的關鍵。Raman光譜由於對石墨碳的靈敏度較高廣泛用於炭基材料的表徵。各種氮化碳晶體的Raman光譜的特徵峰位置已有理論計算值，但是目前在絕大多數關於氮化碳薄膜樣品的Raman光譜分析中，除了與碳有關的D峰和G峰外，很少有其他的與氮化碳晶體的理論計算的特徵峰相吻合的報道。 從目前的研究來看，氮化碳晶體的合成結果並不是很理想，主要表現在：（1）各種合成方法很難得到單一相的氮化碳晶體，多晶薄膜或非晶薄膜樣品給結構分析帶來很大困難；（2）合成產物的形貌、結構和光譜分析至今沒有出現相互支持、相互驗證的實驗結果。
基於氮化碳單晶體合成的困難，且由於高N含量的非晶態氮化碳薄膜也具有很多優異的物理性質，目前很多研究工作轉向氮化碳薄膜的結構和性能研究，包括化學氣相沉積條件對薄膜組成成分、光學性能的影響，氮化碳薄膜的力學性能的測定，摻雜對薄膜力學和光學性能的影響等。因此，迴避氮化碳晶體結構的表徵，尋求性能優異的氮化碳薄膜的制備方法和應用途徑可能是近期關於氮化碳研究的一個主要方向。

9、g-C3N4/ Al2O3納米復合材料怎麼讀？

g-C3N4氫氧化鈉反應來硅酸與氫氧自化鈉反應硅酸鈉反應程式：H2SiO3 + 2NaOH == Na2SiO3 + 2H2O硅酸鈉俗稱泡花鹼種水溶性硅酸鹽其水溶液俗稱水玻璃種礦黏合劑其化式R2O·nSiO2式R2O鹼金屬氧化物n二氧化硅與鹼金屬氧化物摩爾數比值稱水玻璃摩數建築用水玻璃硅酸鈉水溶液用途A、塗刷材料表面提高其抗風化能力 密度1.35g/cm3水玻璃浸漬或塗刷黏土磚、水泥混凝土、硅酸鹽混凝土、石材等孔材料提高材料密實度、強度、抗滲性、抗凍性及耐水性等B、加固土 水玻璃氯化鈣溶液交替壓注土硅酸凝膠潮濕環境吸收土水處於膨脹狀態使土固結C、配製速凝防水劑D、修補磚牆裂縫 水玻璃、粒化高爐礦渣粉、砂及氟硅酸鈉按適比例拌合直接壓入磚牆裂縫起粘結補強作用E、硅酸鈉水溶液做防火門外表面F、用製作耐酸膠泥用於爐窖類內襯G、制備硅膠

10、如何使氧化石墨烯和g-c3n4結合

如何使氧化石墨烯和g-c3n4結合
再經離心除去氧化程度較低的石墨烯,最後提取上層清液,乾燥,製得極性氧化石墨烯粉末;3)將上述制備的氧化石墨烯粉末與g-C3N4用高能球磨機混合均勻後溶解在水合肼中