sem能測到100nm嗎

1、SEM就可以達到幾十nm，那研究超透鏡的意義何在

你說的應該是那個諾貝爾化學獎的超分辨熒光顯微鏡，在遠場顯微成像范疇，大大超越光學衍射極限，這些顯微鏡應用都以熒光染色為基礎（只有可染色的物質才可以觀察，礦物金屬啥的是實現不了高分辨的）。 一個是以激光共聚焦顯微鏡為基礎，採用雙激光束，確保像素點一部分受激輻射耗盡，無法發光，只有一小部分發光，這樣降低了發光像素尺寸，通過逐點掃描可獲得納米尺度級別微小反差；另一個是採用普通顯微鏡，但染色基團有光開關功能，這樣染色是個十分了得的技術問題，而且後期的圖像是要經過軟體處理才可以提高解析度。

據說對生命科學，研究活體在分子水平的物理化學反應，意義非常重大。

而掃描電鏡電鏡需要高真空環境，特殊樣品制備後，看的其實是屍體！而不是活體。

你說的超透鏡另外一種理解為近場光學的鏡頭，採用超透鏡來放大一個可見光波長范圍內的隱失場波動，從而確定超微結構。

總之光學顯微鏡基本可以保證在大氣環境中進行活體檢測！

2、TEM和SEM的區別

SEM，全稱為掃描電子copy顯微鏡，又稱掃描電鏡，英文名Scanning Electronic Microscopy. TEM，全稱為透射電子顯微鏡，又稱透射電鏡，英文名Transmission Electron Microscope.

區別：

SEM的樣品中被激發出來的二次電子和背散射電子被收集而成像. TEM可以表徵樣品的質厚襯度，也可以表徵樣品的內部晶格結構。TEM的解析度比SEM要高一些。

SEM樣品要求不算嚴苛，而TEM樣品觀察的部分必須減薄到100nm厚度以下，一般做成直徑3mm的片，然後去做離子減薄，或雙噴（或者有厚度為20~40μm或者更少的薄區要求）。

TEM可以標定晶格常數，從而確定物相結構；SEM主要可以標定某一處的元素含量，但無法准確測定結構。

3、掃描電鏡與透射電鏡的區別？

1、結構差異:

主要體現在樣品在電子束光路中的位置不同。透射電鏡的樣品在電子束中間，電子源在樣品上方發射電子，經過聚光鏡，然後穿透樣品後，有後續的電磁透鏡繼續放大電子光束，最後投影在熒光屏幕上;掃描電鏡的樣品在電子束末端，電子源在樣品上方發射的電子束，經過幾級電磁透鏡縮小，到達樣品。當然後續的信號探側處理系統的結構也會不同，但從基本物理原理上講沒什麼實質性差別。

2、基本工作原理:

透射電鏡：電子束在穿過樣品時，會和樣品中的原子發生散射，樣品上某一點同時穿過的電子方向是不同，這樣品上的這一點在物鏡1-2倍焦距之間，這些電子通過過物鏡放大後重新匯聚，形成該點一個放大的實像，這個和凸透鏡成像原理相同。這里邊有個反差形成機制理論比較深就不講，但可以這么想像，如果樣品內部是絕對均勻的物質，沒有晶界，沒有原子晶格結構，那麼放大的圖像也不會有任何反差，事實上這種物質不存在，所以才會有這種儀器存在的理由。

掃描電鏡：電子束到達樣品，激發樣品中的二次電子，二次電子被探測器接收，通過信號處理並調制顯示器上一個像素發光，由於電子束斑直徑是納米級別，而顯示器的像素是100微米以上，這個100微米以上像素所發出的光，就代表樣品上被電子束激發的區域所發出的光。實現樣品上這個物點的放大。如果讓電子束在樣品的一定區域做光柵掃描，並且從幾何排列上一一對應調制顯示器的像素的亮度，便實現這個樣品區域的放大成像。

3、對樣品要求

(1)掃描電鏡

SEM制樣對樣品的厚度沒有特殊要求，可以採用切、磨、拋光或解理等方法將特定剖面呈現出來，從而轉化為可以觀察的表面。這樣的表面如果直接觀察，看到的只有表面加工損傷，一般要利用不同的化學溶液進行擇優腐蝕，才能產生有利於觀察的襯度。不過腐蝕會使樣品失去原結構的部分真實情況，同時引入部分人為的干擾，對樣品中厚度極小的薄層來說，造成的誤差更大。

(2)透射電鏡

由於TEM得到的顯微圖像的質量強烈依賴於樣品的厚度，因此樣品觀測部位要非常的薄，例如存儲器器件的TEM樣品一般只能有10～100nm的厚度，這給TEM制樣帶來很大的難度。初學者在制樣過程中用手工或者機械控制磨製的成品率不高，一旦過度削磨則使該樣品報廢。TEM制樣的另一個問題是觀測點的定位，一般的制樣只能獲得10mm量級的薄的觀測范圍，這在需要精確定位分析的時候，目標往往落在觀測范圍之外。目前比較理想的解決方法是通過聚焦離子束刻蝕(FIB)來進行精細加工。

(3)sem能測到100nm嗎擴展資料：

透射電子顯微鏡的成像原理 可分為三種情況：

（1）吸收像：當電子射到質量、密度大的樣品時，主要的成相作用是散射作用。樣品上質量厚度大的地方對電子的散射角大，通過的電子較少，像的亮度較暗。早期的透射電子顯微鏡都是基於這種原理。

（2）衍射像：電子束被樣品衍射後，樣品不同位置的衍射波振幅分布對應於樣品中晶體各部分不同的衍射能力，當出現晶體缺陷時，缺陷部分的衍射能力與完整區域不同，從而使衍射波的振幅分布不均勻，反映出晶體缺陷的分布。

（3）相位像：當樣品薄至100Å以下時，電子可以穿過樣品，波的振幅變化可以忽略，成像來自於相位的變化。

4、用SEM測超薄薄膜厚度，如何制樣才能保證導電性足夠好？

SEM？FSEM的話，勉強可以看到，會漂移的很厲害，噴金可以改善導電性 查看原帖>>
麻煩採納，謝謝!

5、為什麼我的樣品滴到矽片上測sem能譜還是能檢測到碳

SEM掃描電鏡掃描電鏡制備品品溶解用溶溶劑進行散鋪雲母片或者矽片溶劑晾乾或烘乾再測

6、掃描電鏡（SEM）能測出晶型嗎

理論上單純用SEM不能測出晶型，測晶型一般用XRD等儀器。掃描電鏡只能觀察形貌，解析度可達亞微米級別。
不過對於特定的樣品，如果具有明確的晶型，藉助SEM形貌有可能分析出晶型（比如一種物質只有區別明顯的兩種晶型，藉助確定的形貌可以推斷是那種晶型）。另外，SEM通過加裝EBSD附件，通過觀察也有可能觀察晶型

7、SEM與TEM的區別

SEM，全稱為掃描電子顯微鏡，又稱掃描電鏡，英文名Scanning Electronic Microscopy. TEM，全稱為透射電子顯微鏡，又稱透射電鏡，英文名Transmission Electron Microscope.

區別：

SEM的樣品中被激發出來的二次電子和背散射電子被收集而成像. TEM可以表徵樣品的質厚襯度，也可以表徵樣品的內部晶格結構。TEM的解析度比SEM要高一些。

SEM樣品要求不算嚴苛，而TEM樣品觀察的部分必須減薄到100nm厚度以下，一般做成直徑3mm的片，然後去做離子減薄，或雙噴（或者有厚度為20~40μm或者更少的薄區要求）。

TEM可以標定晶格常數，從而確定物相結構；SEM主要可以標定某一處的元素含量，但無法准確測定結構。