1、怎麼看矽片的晶向
以晶胞為軸，100是指在此晶面上的點對xyz軸方向的截距比例
2、100面晶向的矽片，切向解理面是什麼方向
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3、什麼是單晶硅的晶向？各表示什麼
晶體中各種方向上的原子列叫晶向.
在晶胞上建立坐標系,即晶體立方系,則
就是方向向量的坐標內,即
表示過原容點和點x = 1,y = 1,z =1的直線上所經過的原子,如果晶體為體心立方晶胞,則此晶向經過正方體對角線上的原子.
4、矽片為什麼要切去一邊，切出來的邊叫啥
確定晶向，切斷面粘接碳棒或者玻璃，安裝於設備固定。
簡單來說就是確定晶向，以利於將來切割，設計圖形時要考慮這一點，再要問深入一點，就要看看書了。
三極體一般用111面，MOS一般110面
這樣做的原因是跟摻雜、腐蝕等後期製作有關，而且，不同晶向的外層電子的活躍性不一樣，勢能也不一樣。
其實早期的矽片並不切邊,但隨著微電子業發展開始切邊,原因如下:) W2 i: J; `& n$ W% L* M1 s
1, 微電子器件在晶圓上可以做n多個,需切割下來,而單晶硅生長是有晶向要求的,切割沿某一方向好切不亂裂,就是專業上稱的解理面.切邊就告訴您解理方向.
2, 矽片分N型和P型,有規范的切邊還告知您它是n型電特性還是p型電特性,, u$ J2 z/ h" \9 ~- O
3, 現在微電子生產己經自動化,例如光刻的曝光若沒有切邊定位,那麼掩膜版與晶片圖型會相差180度或某種不定位置,生產效率會很低...,
4, 矽片的用途很多,除了n/p還要有晶向,例如做mems要求腐蝕各向異性會用到<110>等晶向,而mos產品為減小表面態影響要求用<100>晶向...
總之,晶圓的主對准邊和副對准邊的標准組合會告訴用片人它是什麼導電類型和晶向,是個身份標識
希望對你有幫助，望採納
5、什麼是單晶硅的晶向？<111><100><110>各表示什麼？
晶體中各種方向來上的原子源列叫晶向.
在晶胞上建立坐標系,即晶體立方系,則
<111>就是方向向量的坐標,即
<111>表示過原點和點x = 1,y = 1,z =1的直線上所經過的原子,如果晶體為體心立方晶胞,則此晶向經過正方體對角線上的原子.
6、矽片（100）是什麼意思？？晶向指數？？還是晶面指數？？？
圓括弧表示晶面指數 ，也就是密勒指數，方括弧表示晶向指數，並且用一類的晶向指數用尖括弧表示。具體的見黃昆版《固體物理》。
7、【請教】如何矽片時N型還是P型？晶向如何確定？
可以測試一下Hall,晶向得話首先要知道是那個面矽片,其次是更具切邊得解理面,就確定了三維坐標,如果不知道硅面得晶向,可以做一個XRD掃描
8、為什麼要使用<100>晶向的晶元製造mos器件
應該是錯誤的標記抄吧~應該是襲尖括弧表示的晶體生長方向在晶胞上建立坐標系,即晶體立方系,則就是方向向量的坐標,即表示過原點和點x=1,y=1,z=1的直線上所經過的原子,如果晶體為體心立方晶胞,則此晶向經過正方體對角線上的原子.
9、晶面指數為100的晶面與晶向指數為100的晶向之間位置關系是
在立方晶系中，兩者相互垂直且晶向是晶面外法線方向，其他晶系沒有關系
10、硅的各向異性腐蝕，用<100>的晶向，跟N型P型有關系嗎，還是必須用N型？
單晶硅與鹼的各項異性腐蝕，主要是由於各晶面原子排列密度、方式不同引起的。版與其中的摻雜類型無權關。因為典型的摻雜為ppm極，即含量很少。當然你要是說我家的摻雜很重，重到破壞大部分晶格的排列了，那肯定有影響、近乎同性腐蝕了。不過即使這樣也與導電型號無關。
另外跟<100>晶相也無關。因為不管什麼晶相都會主要沿（111）面刻下去。然而只有（100）的硅腐蝕絨化效果最好。
腐蝕的重要參數是鹼液濃度和溫度。這是後話，按下不表。