1、XRD、IR、SEM、EDS及紫外可見吸收的測試原理及具體分析步驟（材料測試技術裡面的）
SEM：材料的表面形貌，形貌特徵。配合EDX可以獲得材料的元素組成信息
TEM：材料的表面形貌，結晶性。配合EDX可以獲得材料的元素組成
FTIR：主要用於測試高分子有機材料，確定不同高分子鍵的存在，確定材料的結構。如單鍵，雙鍵等等
Raman：通過測定轉動能及和振動能及，用來測定材料的結構。
CV：CV曲線可以測試得到很多信息，比如所需電沉積電壓，電流，以及半導體行業可以得到直流偏壓
EIS：EIS就是電化學交流阻抗譜測試可以得到電極電位，阻抗信息，從而模擬出系統內在串聯電阻，並聯電阻和電容相關信息
BET：主要是測試材料比表面積的，可以得到材料的比表面積信息。
XRD：主要是測試材料的物性，晶型的。高級的XRD還可以測試材料不同晶型的組分。
質譜：主要用於鑒定材料的化學成分，包括液相質譜，氣象質譜
2、SEM-EDX在文章中怎麼翻譯
SEM-EDX
分析
藉助掃描電鏡和X-射線能譜分析(SEM-EDX)的方法,研究了加硅營養液中培養的高羊茅草,對褐斑病和腐霉枯萎病的抗病作用及其作用機制,
3、掃描電鏡SEM/EDX測試的井深是多少？
````
應該是景深吧``
焦深計算公式
L= ±[(r/M)-d]/2α 其中：
L: 焦深
r: 顯像管最小分辨距離
M：放大倍數
d：入射電子束直徑
2α：物鏡孔徑角。
從上面的式子可以看出影響焦深的因素，其中隱含了工作距離w。物鏡孔徑角與工作距離和入射電子束直徑有關。由於r（顯像管的解析度）和2α都是未知數，實際上不能計算。焦深也只是個人的視覺感受，還是直觀的測量一下為好。
又查了資料``顯像管最小分辨距離為0.22mm-0.3mm, 孔徑角的典型數值為10-2—10-3rad.利用公式L= ±[(r/M)-d]/2α可以計算出在有效放大倍率下的焦深數據。設d=3納米，孔徑角2α=10-2 rad，r=0.3mm。計算焦深如下：
1000倍下為59.4微米。5000倍下為11.4微米。10000倍下為5.4微米。超過100000倍已經超過了有效放大倍率。不能計算。
4、跪求PCB行業中SEM+EDS測試方法，非常感謝！！
PCB失效原因越來越多，在以前看起來難以發現的問題，現在可以用掃描電子顯微鏡與能譜(SEM&EDS)分析出來。本文介紹了在PCB生產過程中利用SEM&EDS發現的三個較為經典的案例，介紹了該技術在實際解決問題過程中的關鍵作用
：（SEM-EDS）在PCB失效分析中的應用
5、關於SEM和EDX的問題？
?
6、液體可以做SEM/EDX分析其中雜質顆粒的元素嗎
國內做SEM一般用鎢針尖去掃光滑固體表面，然後得電壓。做液體的話，我覺得有以下幾個問題：1.由於鎢上面有偏壓，若分析的雜志帶電或有極性就沒法測了（會通電的） 2.如果掃液體表面會由於表面張力是液體吸附上去 3.在液體內部測試的話，你得測那些無極性的大雜質顆粒，但這樣容易碰壞針尖，針尖一般只有幾個原子。 反正我覺得沒法測。 EDX這個我不清楚，似乎是可以的。 你是不是吧SEM看錯了，是SERS（表面增強拉曼）吧。