1、掃描電鏡中的WD參數是什麼意思
掃描電鏡中的WD參數是工作距離,樣品成像表面到物鏡的距離。
介於透射電鏡和光學顯微鏡之間的一種微觀形貌觀察手段,可直接利用樣品表面材料的物質性能進行微觀成像。
掃描電鏡的優點是:
①有較高的放大倍數,2-20萬倍之間連續可調;
②有很大的景深,視野大,成像富有立體感,可直接觀察各種試樣凹凸不平表面的細微結構;
③試樣制備簡單。 目前的掃描電鏡都配有X射線能譜儀裝置,這樣可以同時進行顯微組織形貌的觀察和微區成分分析,因此它是當今十分有用的科學研究儀器。
(1)sem聚焦襯度擴展資料
掃描電子顯微鏡的製造依據是電子與物質的相互作用。
掃描電鏡從原理上講就是利用聚焦得非常細的高能電子束在試樣上掃描,激發出各種物理信息。通過對這些信息的接受、放大和顯示成像,獲得測試試樣表面形貌的觀察。
當一束極細的高能入射電子轟擊掃描樣品表面時,被激發的區域將產生二次電子、俄歇電子、特徵x射線和連續譜X射線、背散射電子、透射電子,以及在可見、紫外、紅外光區域產生的電磁輻射。同時可產生電子-空穴對、晶格振動(聲子)、電子振盪(等離子體)。
從數量上看,彈性背反射電子遠比非彈性背反射電子所佔的份額多。 背反射電子的產生范圍在100nm-1mm深度。
背反射電子產額和二次電子產額與原子序數的關系背反射電子束成像解析度一般為50-200nm(與電子束斑直徑相當)。背反射電子的產額隨原子序數的增加而增加,所以,利用背反射電子作為成像信號不僅能分析形貌特徵,也可以用來顯示原子序數襯度,定性進行成分分析。
2、SEM如何利用二次電子成像
從書上查了一些內容,書的年代比較久遠,可能買不到...有興趣的話,嘗試著去圖書館借一下吧。
SEM工作時,電子槍發射的入射電子束打在試樣表面上,向內部穿透一定的深度,由於彈性和非彈性散射形成一個呈梨狀的電子作用體積。電子與試樣作用產生的物理信息,均由體積內產生。
二次電子是入射電子在試樣內部穿透和散射過程中,將原子的電子轟擊出原子系統而射出試樣表面的電子,其中大部分屬於價子激發,所以能量很小,一般小於50eV。因此二次電子探測體積較小。二次電子發射區的直徑僅比束斑直徑稍大一些,因而可獲得較高的解析度。
二次電子像的襯度取決於試樣上某一點發射出來的二次電子數量。電子發射區越接近表面,發射出的二次電子就越多,這與入射電子束與試樣表面法線的夾角有關。試樣的棱邊、尖峰等處產生的二次電子較多,相應的二次電子像較亮;而平台、凹坑處射出的二次電子較少,相應的二次電子像較暗。根據二次電子像的明暗襯度,即可知道試樣表面凹凸不平的狀況,二次電子像是試樣表面的形貌放大像。
SEM內在試樣的斜上方放置有探測器來接受這些電子。接受二次電子的裝置簡稱為檢測器,它是由聚焦極、加速極、閃爍體、光導管和光電倍增管組成。在閃爍體前面裝一筒裝電極,稱為聚焦極,又稱收集極。在其前端加一柵網,在聚焦極上加250-300V的正電壓。二次電子被此電壓吸引,然後又被帶有10kV正電壓的加速極加速,穿過網眼打在加速極的閃爍體上,產生光信號,經光導管輸送到光電倍增管,光信號轉變為電子信號。最後輸送到顯示系統,顯示出二次電子像。
3、掃描電子顯微鏡表面形貌襯度是什麼意思
掃描電子顯微鏡的製造依據是電子與物質的相互作用。
掃描電鏡從原理上講就是利用聚焦得非常回細的高能電子束在試答樣上掃描,激發出各種物理信息。通過對這些信息的接受、放大和顯示成像,獲得測試試樣表面形貌的觀察。
當一束極細的高能入射電子轟擊掃描樣品表面時,被激發的區域將產生二次電子、俄歇電子、特徵x射線和連續譜X射線、背散射電子、透射電子,以及在可見、紫外、紅外光區域產生的電磁輻射。同時可產生電子-空穴對、晶格振動(聲子)、電子振盪(等離子體)。
4、透射電鏡與掃描電鏡的襯度來源有何不同?為什麼有些結構在TEM是黑色的,而在SEM白色的
通俗的說 掃描電鏡是相當與對物體的照相 得到的是表面的 只是表面的 立體三維的圖象 因為掃描的原理是「感知」那些物提被電子束攻擊後發出的此級電子 而透射電竟就相當於普通顯微鏡 只是用波長更短的電子束替代了會發生衍射的可見光 從而實現了顯微 是二維的圖象 會看到表面的圖象的同時也看到內層物質 就想我們拍的X光片似的 內臟骨骼什麼的都重疊著顯現出來 總結就是透射雖然能看見內部但是不立體 掃描立體但是不能看見內部 只局限與表面
5、SEM與TEM的區別
SEM,全稱為掃描電子顯微鏡,又稱掃描電鏡,英文名Scanning Electronic Microscopy. TEM,全稱為透射電子顯微鏡,又稱透射電鏡,英文名Transmission Electron Microscope.
區別:
SEM的樣品中被激發出來的二次電子和背散射電子被收集而成像. TEM可以表徵樣品的質厚襯度,也可以表徵樣品的內部晶格結構。TEM的解析度比SEM要高一些。
SEM樣品要求不算嚴苛,而TEM樣品觀察的部分必須減薄到100nm厚度以下,一般做成直徑3mm的片,然後去做離子減薄,或雙噴(或者有厚度為20~40μm或者更少的薄區要求)。
TEM可以標定晶格常數,從而確定物相結構;SEM主要可以標定某一處的元素含量,但無法准確測定結構。
6、何謂襯度?tem主要有哪幾種襯度?都是如何產生的
讓我來告訴你:
透射電鏡TEM襯度的形成,物鏡後焦面是起重要作用的部位。
電子經樣品散射後,相對光軸以同一角度進入物鏡的電子在物鏡後焦面上聚焦在一個點上。散射角越大,聚焦點離軸越遠,如果樣品是一個晶體,在後焦面上出現的是一幅衍射圖樣。與短晶面間距(或者說"高空間頻率")對應的衍射束被聚焦在離軸遠處。在後焦面上設有一個光闌。它截取那一部分電子不但對襯度,而且對分辨本領有直接的影響。如果光闌太小,把需要的高空間頻率部分截去,那麼和細微結構對應的高分辨信息就丟失了(見阿貝成像原理)。
樣品上厚的部分或重元素多的部分對電子散射的幾率大。透過這些部分的電子在後焦面上分布在軸外的多。用光闌截去部分散射電子會使"質量厚度"大的部位在像中顯得暗。這種襯度可以人為地造成,如生物樣品中用重元素染色,在材料表面的復形膜上從一個方向噴鍍一層金屬,造成陰陽面等。散射吸收(指被光闌擋住)襯度是最早被人們所認識和利用的襯度機制。就表面復型技術而言,它的分辨本領可達幾十埃。至於晶體樣品的衍襯像和高分辨的點陣像的襯度來源,見點陣像和電子衍襯像
電鏡襯度分類
電鏡襯度分四類:質厚襯度,衍射襯度,相位襯度,Z襯度。TEM是利用相位襯度。
我知道所以你知道!
7、掃描電鏡(SEM)中表面形貌襯度和原子序數襯度各有什麼特點
?
8、掃描電鏡的se和bse模式有什麼區別
收集信號不同。SE:二次電子;BSE:背散射電子
解析度不同。SE:高;BSE:低
圖像襯度不同。SE:形貌襯度;BSE:質厚襯度
應用目的不同。SE:圍觀立體形貌;BSE:元素、相二維分布