1、SEM掃描電鏡圖怎麼看,圖上各參數都代表什麼意思
1、放大率:
與普通光學顯微鏡不同,在SEM中,是通過控制掃描區域的大小來控制放大率的。如果需要更高的放大率,只需要掃描更小的一塊面積就可以了。放大率由屏幕/照片面積除以掃描面積得到。
所以,SEM中,透鏡與放大率無關。
2、場深:
在SEM中,位於焦平面上下的一小層區域內的樣品點都可以得到良好的會焦而成象。這一小層的厚度稱為場深,通常為幾納米厚,所以,SEM可以用於納米級樣品的三維成像。
3、作用體積:
電子束不僅僅與樣品表層原子發生作用,它實際上與一定厚度范圍內的樣品原子發生作用,所以存在一個作用「體積」。
4、工作距離:
工作距離指從物鏡到樣品最高點的垂直距離。
如果增加工作距離,可以在其他條件不變的情況下獲得更大的場深。如果減少工作距離,則可以在其他條件不變的情況下獲得更高的解析度。通常使用的工作距離在5毫米到10毫米之間。
5、成象:
次級電子和背散射電子可以用於成象,但後者不如前者,所以通常使用次級電子。
6、表面分析:
歐革電子、特徵X射線、背散射電子的產生過程均與樣品原子性質有關,所以可以用於成分分析。但由於電子束只能穿透樣品表面很淺的一層(參見作用體積),所以只能用於表面分析。
表面分析以特徵X射線分析最常用,所用到的探測器有兩種:能譜分析儀與波譜分析儀。前者速度快但精度不高,後者非常精確,可以檢測到「痕跡元素」的存在但耗時太長。
觀察方法:
如果圖像是規則的(具螺旋對稱的活體高分子物質或結晶),則將電鏡像放在光衍射計上可容易地觀察圖像的平行周期性。
尤其用光過濾法,即只留衍射像上有周期性的衍射斑,將其他部分遮蔽使重新衍射,則會得到背景干擾少的鮮明圖像。
(1)碳材料sem掃描電鏡擴展資料:
SEM掃描電鏡圖的分析方法:
從干擾嚴重的電鏡照片中找出真實圖像的方法。在電鏡照片中,有時因為背景干擾嚴重,只用肉眼觀察不能判斷出目的物的圖像。
圖像與其衍射像之間存在著數學的傅立葉變換關系,所以將電鏡像用光度計掃描,使各點的濃淡數值化,將之進行傅立葉變換,便可求出衍射像〔衍射斑的強度(振幅的2乘)和其相位〕。
將其相位與從電子衍射或X射線衍射強度所得的振幅組合起來進行傅立葉變換,則會得到更鮮明的圖像。此法對屬於活體膜之一的紫膜等一些由二維結晶所成的材料特別適用。
掃描電鏡從原理上講就是利用聚焦得非常細的高能電子束在試樣上掃描,激發出各種物理信息。通過對這些信息的接受、放大和顯示成像,獲得測試試樣表面形貌的觀察。
2、掃描電鏡sem的主要原理是什麼?測試過程需要重點注意哪些操作
電鏡的原理是:電子槍發出電子束打到樣品表面,激發出二次電子、背散射電子、X-ray等特徵信號,經收集轉化為數字信號,得到相應的形貌或成分信息。
測試注意事項:
1、新人找別人幫忙測試時,
明確自己的測試內容,如何樣品前處理,測試時間,然後跟測試相關人員聯系確定能否滿足你的測試需求
2、新人自己操作測試時,
明確自己的測試內容,如何樣品前處理,測試時間,
測試時注意樣品乾燥潔凈,操作時樣品和樣品台避免撞到探頭
3、磁性材料要做掃描電鏡SEM,哪裡可以做啊
?
4、塑料做掃描電鏡不噴金或噴碳是不是就得不到清晰的圖像
高分子材料必須經過噴金處理後才能用SEM很好的觀察。要用SEM看晶體形態結構的話,必須對樣品進行刻蝕處理,即把聚合物非晶部分刻蝕掉,結晶部分暴露出來後,才可以在SEM下觀察到晶體的形態結構。
5、關於SEM掃描電鏡的幾個問題,求大神出現...
如果是即將開始學習儀器操作的管理人員,建議先系統學習理論知識,再找專業的儀器工程師培訓。如果是學生,要使用電鏡,從安全形度考慮,1、2、3幾項通常是值機人員完成的。我可以簡單的向你介紹一下:1、主要是電源,只要能正常開機,一般無問題;2、加高壓前一般要達到額定真空,否則氣體電離度大、損傷電子槍,但是電鏡軟體一般都已經設置好,不到工作真空,根本加不上去高壓,所以只要能夠加高壓,也無其他特別的問題;做完電鏡關閉高壓,等30秒以上,待燈絲冷卻後再放氣為宜,主要也是為了保護電子槍;3、樣品台有它的額定移動距離,包括平面方向和上下方向,平面方向移動到極限時會有報警提示,看到提示往回移動即可。高度方向也如此,但是要注意向上移動時,要緩慢,要防止堅硬的試樣撞擊上方的探測器和極靴,損壞設備;4,電子束與試樣作用,可激發出多種信號,如二次電子信號(用於形貌觀察),背散射電子信號(用於區分微區成分)、俄歇電子信號(用於表面元素分析)、特徵X射線(用於內部元素分析)、陰極熒光(用於發光材料研究),這些信號已經被有效的加以利用,這是一門獨立的學科,若需要詳細了解,你需要系統地學習一下。
6、深圳普瑞賽思的掃描電鏡SEM是蔡司的嗎?
是的。比較貴。可以對電池隔膜,碳粉,正負極材料,電解液做分析,pcb,pcba也可以。
7、在材料的分析方法中透射電鏡和掃描電鏡有什麼區別
檢測內容:一般的TEM可以做形貌分析,物相分析,結構及缺陷分析,以及判定晶體生長方式等等。SEM主要用於樣品的表面形貌分析(二次電子),成分分析(背散射電子),以及成分的點線面分析。對於帶有能譜或者其他成分分析附件的TEM也可以做成分分析。制樣方法:SEM的樣品要求很簡單,導電就行,不導電噴碳噴金噴銀讓他導電;TEM制備樣品很復雜,尤其是對接的樣品。新手嘛,做一個好的樣品,得至少半個月吧。能在這個時間內完成的都是高手!還有……先說這么多!