1、SEM与TEM的区别
SEM,全称为扫描电子显微镜,又称扫描电镜,英文名Scanning Electronic Microscopy. TEM,全称为透射电子显微镜,又称透射电镜,英文名Transmission Electron Microscope.
区别:
SEM的样品中被激发出来的二次电子和背散射电子被收集而成像. TEM可以表征样品的质厚衬度,也可以表征样品的内部晶格结构。TEM的分辨率比SEM要高一些。
SEM样品要求不算严苛,而TEM样品观察的部分必须减薄到100nm厚度以下,一般做成直径3mm的片,然后去做离子减薄,或双喷(或者有厚度为20~40μm或者更少的薄区要求)。
TEM可以标定晶格常数,从而确定物相结构;SEM主要可以标定某一处的元素含量,但无法准确测定结构。
2、如何获得清晰的扫描电镜(SEM)图像
1、制样:成功制备出所要观察的位置,样品如果不导电,可能需要镀金
2、环境:电镜处在无振动干扰和无磁场干扰的环境下
3、设备:电镜电子枪仍在合理的使用时间内
4、拍摄:找到拍摄位置,选择合适距离,选择合适探头→对中→调像散→聚焦,反复操作至最清晰
3、你好,能帮忙解释一下像散,球差,慧差的概念网上说的还是不太明白。
如上,像散,发光点p,不在光轴之上,经过透镜,光束focus,如图c处就是聚不到一个点上,这样它原本是p点传播过后不是一个点了,成像不清晰,即为像散。
如上,慧差。主轴外的物点,发出光束,经光学系统,理想平面处不能结成清晰点,而是结成拖着明亮尾巴的彗星形光斑,好比上图abcde平面处的点图,很像彗星呵呵。即慧差。
如上,球差,同样是发光点,经过透镜(最简单的光学系统)成像后依旧不是一个点,不过与慧差和像散不同,在透镜一个漫射圆斑,即球差。
三者的区分,最主要是看像平面上面的点图,并且三者的成因也与物体是否在光轴有关,这个具体外文教材《Introction to lens design ......》里有讲
4、怎么看ZEMAX 中象散
菜单栏:Analysis>Miscellaneous>Field Curv/Distortion
或直接点击工具栏的Fcd按钮
5、像散现象是属于什么现象
我们平时所看到的雾其实呢不是气体,而是液体,它是晚上空气中的水蒸气遇冷凝华成液态的水,然后早晨呢,太阳出来,液态的水吸热后,就又蒸发成气态的水蒸气,所以,太阳出来后,雾就不见了。
6、象散的消像散解决方法
为解决问题,有些镜头会干脆将覆盖率加大,如用于APS-C的镜头,可能本来能盖过全幅,但为保持画质而牺牲了边缘画面。所以,APS-C的镜头多不建议用在全幅机上。就算可以,也会有严重的四角失光或边缘像散。另一种像散则是由于镜头的质量问题,如曲面不均匀,这就有如人眼的散光问题;或镜片组没有对准中轴。不过这都是旧时代的生产技术问题,现在已不多见。
当光学系统存在较大的像散时,像面一般也很弯曲,只有当子午和弧矢像面处于高斯像面二侧时,可勉强认为是平像面光学系统。但因像系由弥散圆形成,是模糊不清的。
当光学系统的像散校正得很好并且用细光束成像时,物平面上各点都有一个清晰的像点,但它们往往仍处于一个弯曲的像面上,在用平面来接收时仍不能同时清晰。通常把消像散时的清晰像面称为珀兹伐曲面,其弯曲程度称为珀兹伐弯曲。
所以,只有同时校正好像散和珀兹伐弯曲,才能使大的物平面用细光束成像时有一个平的清晰像面。若同时校正好宽光束的球差和彗差,则可获得大孔径大视场时的清晰像平面。
一般而论,透镜的像散随孔径光阑位置而异,并随透镜形状的不同而异,但当孔径光阑与薄透镜重合时,只要焦距不变,像散即为常值,与形状无关。消像散系统一般由正、负透镜适当组合而成。珀兹伐弯曲也只有用正、负光焦度分离的方法才能校正。
消除方法: 通过复杂的透镜组合来消除。
消像散器(anastigmator): 在电子显微镜中,用于校正轴向像散的电子光学部件。
7、请教金相图与SEM图的区别~
金相观察是依赖可见光的反射,其原理是被腐蚀的晶界处发生漫反射,在照片上是暗的;未被腐蚀的晶粒内部发生的是镜面反射,在照片上是亮的.SEM分二次电子像和背散射电子像:二次电子像必须腐蚀样品,不腐蚀的话什么都看不到.照完金相的样品可以直接照二次电子,但照片的情况有所不同,<1000倍时,二次电子像观察到的晶界是亮的,因为晶界被腐蚀掉,样品在晶界出现棱角,二次电子的产额大,因此是量的,晶界内部反而暗.如果倍数放到足够大,能够看清晶界处的腐蚀程度和凹凸情况;背散射电子像是分析样品的成分分布,最好不要腐蚀样品,因为腐蚀样品会把第二相腐蚀掉.
8、SEM和TEM区别
SEM,全称为扫描电子显微镜,又称扫描电镜,英文名Scanning
Electronic
Microscopy.
TEM,全称为透射电子显微镜,又称透射电镜,英文名Transmission
Electron
Microscope.
区别:
1.
SEM的样品中被激发出来的二次电子和背散射电子被收集而成像.
TEM可以表征样品的质厚衬度,也可以表征样品的内部晶格结构。TEM的分辨率比SEM要高一些。
2.
SEM样品要求不算严苛,而TEM样品观察的部分必须减薄到100nm厚度以下,一般做成直径3mm的片,然后去做离子减薄,或双喷(或者有厚度为20~40μm或者更少的薄区要求)。
3.
TEM可以标定晶格常数,从而确定物相结构;SEM主要可以标定某一处的元素含量,但无法准确测定结构。