sem能测到100nm吗

1、SEM就可以达到几十nm，那研究超透镜的意义何在

你说的应该是那个诺贝尔化学奖的超分辨荧光显微镜，在远场显微成像范畴，大大超越光学衍射极限，这些显微镜应用都以荧光染色为基础（只有可染色的物质才可以观察，矿物金属啥的是实现不了高分辨的）。 一个是以激光共聚焦显微镜为基础，采用双激光束，确保像素点一部分受激辐射耗尽，无法发光，只有一小部分发光，这样降低了发光像素尺寸，通过逐点扫描可获得纳米尺度级别微小反差；另一个是采用普通显微镜，但染色基团有光开关功能，这样染色是个十分了得的技术问题，而且后期的图像是要经过软件处理才可以提高分辨率。

据说对生命科学，研究活体在分子水平的物理化学反应，意义非常重大。

而扫描电镜电镜需要高真空环境，特殊样品制备后，看的其实是尸体！而不是活体。

你说的超透镜另外一种理解为近场光学的镜头，采用超透镜来放大一个可见光波长范围内的隐失场波动，从而确定超微结构。

总之光学显微镜基本可以保证在大气环境中进行活体检测！

2、TEM和SEM的区别

SEM，全称为扫描电子copy显微镜，又称扫描电镜，英文名Scanning Electronic Microscopy. TEM，全称为透射电子显微镜，又称透射电镜，英文名Transmission Electron Microscope.

区别：

SEM的样品中被激发出来的二次电子和背散射电子被收集而成像. TEM可以表征样品的质厚衬度，也可以表征样品的内部晶格结构。TEM的分辨率比SEM要高一些。

SEM样品要求不算严苛，而TEM样品观察的部分必须减薄到100nm厚度以下，一般做成直径3mm的片，然后去做离子减薄，或双喷（或者有厚度为20~40μm或者更少的薄区要求）。

TEM可以标定晶格常数，从而确定物相结构；SEM主要可以标定某一处的元素含量，但无法准确测定结构。

3、扫描电镜与透射电镜的区别？

1、结构差异:

主要体现在样品在电子束光路中的位置不同。透射电镜的样品在电子束中间，电子源在样品上方发射电子，经过聚光镜，然后穿透样品后，有后续的电磁透镜继续放大电子光束，最后投影在荧光屏幕上;扫描电镜的样品在电子束末端，电子源在样品上方发射的电子束，经过几级电磁透镜缩小，到达样品。当然后续的信号探侧处理系统的结构也会不同，但从基本物理原理上讲没什么实质性差别。

2、基本工作原理:

透射电镜：电子束在穿过样品时，会和样品中的原子发生散射，样品上某一点同时穿过的电子方向是不同，这样品上的这一点在物镜1-2倍焦距之间，这些电子通过过物镜放大后重新汇聚，形成该点一个放大的实像，这个和凸透镜成像原理相同。这里边有个反差形成机制理论比较深就不讲，但可以这么想象，如果样品内部是绝对均匀的物质，没有晶界，没有原子晶格结构，那么放大的图像也不会有任何反差，事实上这种物质不存在，所以才会有这种仪器存在的理由。

扫描电镜：电子束到达样品，激发样品中的二次电子，二次电子被探测器接收，通过信号处理并调制显示器上一个像素发光，由于电子束斑直径是纳米级别，而显示器的像素是100微米以上，这个100微米以上像素所发出的光，就代表样品上被电子束激发的区域所发出的光。实现样品上这个物点的放大。如果让电子束在样品的一定区域做光栅扫描，并且从几何排列上一一对应调制显示器的像素的亮度，便实现这个样品区域的放大成像。

3、对样品要求

(1)扫描电镜

SEM制样对样品的厚度没有特殊要求，可以采用切、磨、抛光或解理等方法将特定剖面呈现出来，从而转化为可以观察的表面。这样的表面如果直接观察，看到的只有表面加工损伤，一般要利用不同的化学溶液进行择优腐蚀，才能产生有利于观察的衬度。不过腐蚀会使样品失去原结构的部分真实情况，同时引入部分人为的干扰，对样品中厚度极小的薄层来说，造成的误差更大。

(2)透射电镜

由于TEM得到的显微图像的质量强烈依赖于样品的厚度，因此样品观测部位要非常的薄，例如存储器器件的TEM样品一般只能有10～100nm的厚度，这给TEM制样带来很大的难度。初学者在制样过程中用手工或者机械控制磨制的成品率不高，一旦过度削磨则使该样品报废。TEM制样的另一个问题是观测点的定位，一般的制样只能获得10mm量级的薄的观测范围，这在需要精确定位分析的时候，目标往往落在观测范围之外。目前比较理想的解决方法是通过聚焦离子束刻蚀(FIB)来进行精细加工。

(3)sem能测到100nm吗扩展资料：

透射电子显微镜的成像原理 可分为三种情况：

（1）吸收像：当电子射到质量、密度大的样品时，主要的成相作用是散射作用。样品上质量厚度大的地方对电子的散射角大，通过的电子较少，像的亮度较暗。早期的透射电子显微镜都是基于这种原理。

（2）衍射像：电子束被样品衍射后，样品不同位置的衍射波振幅分布对应于样品中晶体各部分不同的衍射能力，当出现晶体缺陷时，缺陷部分的衍射能力与完整区域不同，从而使衍射波的振幅分布不均匀，反映出晶体缺陷的分布。

（3）相位像：当样品薄至100Å以下时，电子可以穿过样品，波的振幅变化可以忽略，成像来自于相位的变化。

4、用SEM测超薄薄膜厚度，如何制样才能保证导电性足够好？

SEM？FSEM的话，勉强可以看到，会漂移的很厉害，喷金可以改善导电性 查看原帖>>
麻烦采纳，谢谢!

5、为什么我的样品滴到硅片上测sem能谱还是能检测到碳

SEM扫描电镜扫描电镜制备品品溶解用溶溶剂进行散铺云母片或者硅片溶剂晾干或烘干再测

6、扫描电镜（SEM）能测出晶型吗

理论上单纯用SEM不能测出晶型，测晶型一般用XRD等仪器。扫描电镜只能观察形貌，分辨率可达亚微米级别。
不过对于特定的样品，如果具有明确的晶型，借助SEM形貌有可能分析出晶型（比如一种物质只有区别明显的两种晶型，借助确定的形貌可以推断是那种晶型）。另外，SEM通过加装EBSD附件，通过观察也有可能观察晶型

7、SEM与TEM的区别

SEM，全称为扫描电子显微镜，又称扫描电镜，英文名Scanning Electronic Microscopy. TEM，全称为透射电子显微镜，又称透射电镜，英文名Transmission Electron Microscope.

区别：

SEM的样品中被激发出来的二次电子和背散射电子被收集而成像. TEM可以表征样品的质厚衬度，也可以表征样品的内部晶格结构。TEM的分辨率比SEM要高一些。

SEM样品要求不算严苛，而TEM样品观察的部分必须减薄到100nm厚度以下，一般做成直径3mm的片，然后去做离子减薄，或双喷（或者有厚度为20~40μm或者更少的薄区要求）。

TEM可以标定晶格常数，从而确定物相结构；SEM主要可以标定某一处的元素含量，但无法准确测定结构。