1、怎么看硅片的晶向
以晶胞为轴，100是指在此晶面上的点对xyz轴方向的截距比例
2、100面晶向的硅片，切向解理面是什么方向
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3、什么是单晶硅的晶向？各表示什么
晶体中各种方向上的原子列叫晶向.
在晶胞上建立坐标系,即晶体立方系,则
就是方向向量的坐标内,即
表示过原容点和点x = 1,y = 1,z =1的直线上所经过的原子,如果晶体为体心立方晶胞,则此晶向经过正方体对角线上的原子.
4、硅片为什么要切去一边，切出来的边叫啥
确定晶向，切断面粘接碳棒或者玻璃，安装于设备固定。
简单来说就是确定晶向，以利于将来切割，设计图形时要考虑这一点，再要问深入一点，就要看看书了。
三极管一般用111面，MOS一般110面
这样做的原因是跟掺杂、腐蚀等后期制作有关，而且，不同晶向的外层电子的活跃性不一样，势能也不一样。
其实早期的硅片并不切边,但随着微电子业发展开始切边,原因如下:) W2 i: J; `& n$ W% L* M1 s
1, 微电子器件在晶圆上可以做n多个,需切割下来,而单晶硅生长是有晶向要求的,切割沿某一方向好切不乱裂,就是专业上称的解理面.切边就告诉您解理方向.
2, 硅片分N型和P型,有规范的切边还告知您它是n型电特性还是p型电特性,, u$ J2 z/ h" \9 ~- O
3, 现在微电子生产己经自动化,例如光刻的曝光若没有切边定位,那么掩膜版与晶片图型会相差180度或某种不定位置,生产效率会很低...,
4, 硅片的用途很多,除了n/p还要有晶向,例如做mems要求腐蚀各向异性会用到<110>等晶向,而mos产品为减小表面态影响要求用<100>晶向...
总之,晶圆的主对准边和副对准边的标准组合会告诉用片人它是什么导电类型和晶向,是个身份标识
希望对你有帮助，望采纳
5、什么是单晶硅的晶向？<111><100><110>各表示什么？
晶体中各种方向来上的原子源列叫晶向.
在晶胞上建立坐标系,即晶体立方系,则
<111>就是方向向量的坐标,即
<111>表示过原点和点x = 1,y = 1,z =1的直线上所经过的原子,如果晶体为体心立方晶胞,则此晶向经过正方体对角线上的原子.
6、硅片（100）是什么意思？？晶向指数？？还是晶面指数？？？
圆括号表示晶面指数 ，也就是密勒指数，方括号表示晶向指数，并且用一类的晶向指数用尖括号表示。具体的见黄昆版《固体物理》。
7、【请教】如何硅片时N型还是P型？晶向如何确定？
可以测试一下Hall,晶向得话首先要知道是那个面硅片,其次是更具切边得解理面,就确定了三维坐标,如果不知道硅面得晶向,可以做一个XRD扫描
8、为什么要使用<100>晶向的芯片制造mos器件
应该是错误的标记抄吧~应该是袭尖括号表示的晶体生长方向在晶胞上建立坐标系,即晶体立方系,则就是方向向量的坐标,即表示过原点和点x=1,y=1,z=1的直线上所经过的原子,如果晶体为体心立方晶胞,则此晶向经过正方体对角线上的原子.
9、晶面指数为100的晶面与晶向指数为100的晶向之间位置关系是
在立方晶系中，两者相互垂直且晶向是晶面外法线方向，其他晶系没有关系
10、硅的各向异性腐蚀，用<100>的晶向，跟N型P型有关系吗，还是必须用N型？
单晶硅与碱的各项异性腐蚀，主要是由于各晶面原子排列密度、方式不同引起的。版与其中的掺杂类型无权关。因为典型的掺杂为ppm极，即含量很少。当然你要是说我家的掺杂很重，重到破坏大部分晶格的排列了，那肯定有影响、近乎同性腐蚀了。不过即使这样也与导电型号无关。
另外跟<100>晶相也无关。因为不管什么晶相都会主要沿（111）面刻下去。然而只有（100）的硅腐蚀绒化效果最好。
腐蚀的重要参数是碱液浓度和温度。这是后话，按下不表。