1、SEM扫描电镜图怎么看,图上各参数都代表什么意思
1、放大率:
与普通光学显微镜不同,在SEM中,是通过控制扫描区域的大小来控制放大率的。如果需要更高的放大率,只需要扫描更小的一块面积就可以了。放大率由屏幕/照片面积除以扫描面积得到。
所以,SEM中,透镜与放大率无关。
2、场深:
在SEM中,位于焦平面上下的一小层区域内的样品点都可以得到良好的会焦而成象。这一小层的厚度称为场深,通常为几纳米厚,所以,SEM可以用于纳米级样品的三维成像。
3、作用体积:
电子束不仅仅与样品表层原子发生作用,它实际上与一定厚度范围内的样品原子发生作用,所以存在一个作用“体积”。
4、工作距离:
工作距离指从物镜到样品最高点的垂直距离。
如果增加工作距离,可以在其他条件不变的情况下获得更大的场深。如果减少工作距离,则可以在其他条件不变的情况下获得更高的分辨率。通常使用的工作距离在5毫米到10毫米之间。
5、成象:
次级电子和背散射电子可以用于成象,但后者不如前者,所以通常使用次级电子。
6、表面分析:
欧革电子、特征X射线、背散射电子的产生过程均与样品原子性质有关,所以可以用于成分分析。但由于电子束只能穿透样品表面很浅的一层(参见作用体积),所以只能用于表面分析。
表面分析以特征X射线分析最常用,所用到的探测器有两种:能谱分析仪与波谱分析仪。前者速度快但精度不高,后者非常精确,可以检测到“痕迹元素”的存在但耗时太长。
观察方法:
如果图像是规则的(具螺旋对称的活体高分子物质或结晶),则将电镜像放在光衍射计上可容易地观察图像的平行周期性。
尤其用光过滤法,即只留衍射像上有周期性的衍射斑,将其他部分遮蔽使重新衍射,则会得到背景干扰少的鲜明图像。
(1)碳材料sem扫描电镜扩展资料:
SEM扫描电镜图的分析方法:
从干扰严重的电镜照片中找出真实图像的方法。在电镜照片中,有时因为背景干扰严重,只用肉眼观察不能判断出目的物的图像。
图像与其衍射像之间存在着数学的傅立叶变换关系,所以将电镜像用光度计扫描,使各点的浓淡数值化,将之进行傅立叶变换,便可求出衍射像〔衍射斑的强度(振幅的2乘)和其相位〕。
将其相位与从电子衍射或X射线衍射强度所得的振幅组合起来进行傅立叶变换,则会得到更鲜明的图像。此法对属于活体膜之一的紫膜等一些由二维结晶所成的材料特别适用。
扫描电镜从原理上讲就是利用聚焦得非常细的高能电子束在试样上扫描,激发出各种物理信息。通过对这些信息的接受、放大和显示成像,获得测试试样表面形貌的观察。
2、扫描电镜sem的主要原理是什么?测试过程需要重点注意哪些操作
电镜的原理是:电子枪发出电子束打到样品表面,激发出二次电子、背散射电子、X-ray等特征信号,经收集转化为数字信号,得到相应的形貌或成分信息。
测试注意事项:
1、新人找别人帮忙测试时,
明确自己的测试内容,如何样品前处理,测试时间,然后跟测试相关人员联系确定能否满足你的测试需求
2、新人自己操作测试时,
明确自己的测试内容,如何样品前处理,测试时间,
测试时注意样品干燥洁净,操作时样品和样品台避免撞到探头
3、磁性材料要做扫描电镜SEM,哪里可以做啊
?
4、塑料做扫描电镜不喷金或喷碳是不是就得不到清晰的图像
高分子材料必须经过喷金处理后才能用SEM很好的观察。要用SEM看晶体形态结构的话,必须对样品进行刻蚀处理,即把聚合物非晶部分刻蚀掉,结晶部分暴露出来后,才可以在SEM下观察到晶体的形态结构。
5、关于SEM扫描电镜的几个问题,求大神出现...
如果是即将开始学习仪器操作的管理人员,建议先系统学习理论知识,再找专业的仪器工程师培训。如果是学生,要使用电镜,从安全角度考虑,1、2、3几项通常是值机人员完成的。我可以简单的向你介绍一下:1、主要是电源,只要能正常开机,一般无问题;2、加高压前一般要达到额定真空,否则气体电离度大、损伤电子枪,但是电镜软件一般都已经设置好,不到工作真空,根本加不上去高压,所以只要能够加高压,也无其他特别的问题;做完电镜关闭高压,等30秒以上,待灯丝冷却后再放气为宜,主要也是为了保护电子枪;3、样品台有它的额定移动距离,包括平面方向和上下方向,平面方向移动到极限时会有报警提示,看到提示往回移动即可。高度方向也如此,但是要注意向上移动时,要缓慢,要防止坚硬的试样撞击上方的探测器和极靴,损坏设备;4,电子束与试样作用,可激发出多种信号,如二次电子信号(用于形貌观察),背散射电子信号(用于区分微区成分)、俄歇电子信号(用于表面元素分析)、特征X射线(用于内部元素分析)、阴极荧光(用于发光材料研究),这些信号已经被有效的加以利用,这是一门独立的学科,若需要详细了解,你需要系统地学习一下。
6、深圳普瑞赛思的扫描电镜SEM是蔡司的吗?
是的。比较贵。可以对电池隔膜,碳粉,正负极材料,电解液做分析,pcb,pcba也可以。
7、在材料的分析方法中透射电镜和扫描电镜有什么区别
检测内容:一般的TEM可以做形貌分析,物相分析,结构及缺陷分析,以及判定晶体生长方式等等。SEM主要用于样品的表面形貌分析(二次电子),成分分析(背散射电子),以及成分的点线面分析。对于带有能谱或者其他成分分析附件的TEM也可以做成分分析。制样方法:SEM的样品要求很简单,导电就行,不导电喷碳喷金喷银让他导电;TEM制备样品很复杂,尤其是对接的样品。新手嘛,做一个好的样品,得至少半个月吧。能在这个时间内完成的都是高手!还有……先说这么多!